РУАЭСТ (RUAEST)
Статьи автора: Самбурский Л.М.
Результатов найдено: 1
|
Анализ средствами TCAD токов утечки 45-нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектрикомСамбурский Л.М.,Попов Д.А.,Петросянц К.О.,Харитонов И.А.
|