Проанализированы особенности применения медной металлизации на контактных площадках кремниевых кристаллов полупроводниковых изделий микроэлектроники. Рассмотрены поверхностное и удельное сопротивления Cu металлизации, покрытой защитной Ni пленкой после напыления и отжига в H2 при температуре 400 ˚С. Проведены исследования микроструктуры, химического состава и микротвёрдости данной металлизации методом Кнупа. Исследования микротвердости показали, что металлизация с мелкими зернами (до отжига) обладает более высокой микротвердостью, чем крупнозернистая (после отжига). Некоторое снижение микротвердости покрытий Cu-Ni практически не влияет на качество микросварных соединений