По результатам рентгенофазового и дифференциального термического анализа построена Т – х диаграмма политермического разреза Sn – GeAs системы Sn – As – Ge. Установлено, что разрез Sn – GeAs не является квазибинарным, четырехфазное перитектическое превращение реализуется при температуре 821 К