Актуальность и цели. Объектом исследования являются тонкопленочные тензорезисторные датчики давления (ТТДД) и их чувствительные элементы, которые выполнены в виде МЭМС-структур. Предметом исследования являются влияние нестационарных температур и термодеформаций на температурные поля, деформации и электрические параметры тензодатчиков. Цель работы – на основе математического моделирования температурных полей, деформаций и электрических параметров тензодатчиков разработать методы и средства минимизации влияния нестационарных полей температур и термодеформаций с одновременным измерением температур тензорезисторов Материалы и методы. Исследования проводились с применением принципов и методов системного анализа, теории математического моделирования и математической статистики в условиях действия нестационарных полей температур и термодеформаций с одновременным измерением собственных температур тензорезисторов. Результаты. Разработаны методы и средства минимизации погрешностей измерения давления в условиях действия нестационарных температур и термодеформаций. Получены математические модели неинформативного преобразования термоЭДС в выходной сигнал тонкопленочных МЭМС-структур ТТДД с идентичными тензоэлементами, при необходимости из которых могут быть получены решения для любых ТТДД с мостовой схемой. Выводы. Преимуществом предложенных решений является уменьшение влияния нестационарной температуры за счет возможности раздельного учета температуры каждого из тензорезисторов. Кроме того, преимуществом рассматриваемого решения является то, что индивидуальный учет температуры каждого тензорезистора позволяет учесть индивидуальные температурные характеристики каждого, тем самым снизив погрешности измерения в условиях действия нестационарных полей температур и термодеформаций.