ВЛИЯНИЕ АНИЗОТРОПИИ КРИСТАЛЛА НА ФОРМУ ДВИЖУЩЕГОСЯ В ГРАДИЕНТНОМ ПОЛЕ ЖИДКОГО ВКЛЮЧЕНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ СИНТЕЗА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Обсуждаются результаты математического моделирования движения жидкого линейного включения в кристаллических структурах A3B5 в условиях зонной перекристаллизации градиентом температуры для различных режимов нормального механизма растворения и роста. Модель учитывает анизотропию скоростей растворения и кристаллизации. Равновесные формы сечения жидкого включения согласуются с аналогичными формами, полученными экспериментально для AsGa–Ga. Показано, что зона приобретает выраженную огранку фронта растворения, в то время как фронт кристаллизации таковой не имеет. В эксперименте наблюдалась траекторная нестабильность, обусловленная затруднённостью кинетических процессов на границе растворения. Для технологического процесса получена область параметров успешного использования методики определения атомно-кинетических коэффициентов – при температурах процесса градиентной жидкофазной эпитаксии

• Благин А.В.
• Благина Л.В.
• Малибашев А.В.
• Нефедова Н.А.
• Лозовский С.В.

• Искусство. Декоративно-прикладное искусство. Фотография. Музыка. Игры. Спорт

• Технические науки. Промышленность