ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ ТЕРМОМИГРАЦИИ ПРИ ВВЕДЕНИИ ДОБАВОК Ga В ЗОНООБРАЗУЮЩИЙ МАТЕРИАЛ Si – Al

Приведены результаты экспериментальных исследований кинетики роста слоев в системе Si – Al – Ga. Установлено, что с увеличением содержания Ga в зонообразующем материале происходит монотонное снижение скорости эпитаксиального роста. Обнаружен эффект увеличения скорости миграции тонких зон растворителя по сравнению с бинарным составом при введении малых (0,5 – 1,0 % по массе) добавок Ga. Проведен теоретический анализ полученных данных, оценены диффузионный и кинетический параметры процесса растворения и кристаллизации в ростовой ячейке при миграции растворителя сложного состава. Проанализировано качество эпитаксиальных слоев. Отмечено заметное влияние малых добавок Ga на повышение стабильности процесса термомиграции.

• Середин Б.М.

• Искусство. Декоративно-прикладное искусство. Фотография. Музыка. Игры. Спорт

• Технические науки. Промышленность