Продемонстрирована возможность получения методом ионно-лучевой кристаллизации GaAs p-i-nгетероструктур с внедренным в i-область массивом InAs квантовых точек. Анализ результатов фотолюминесцентных исследований и измерений спектральной зависимости внешнего квантового выхода (AM1.5G, T = 300 K) выявил возрастание плотности тока (~1,1 %) в солнечных элементах на основе полученных гетероструктур GaAs(p):С/GaAs(i)-InAs(QD)/GaAs(n):Si.