РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Технические науки/2012/№ 3/

ПОЛУЧЕНИЕ СЛОЁВ GexSi1-x НА КРЕМНИИ МЕТОДОМ ВАКУУМНЫХ МИКРОРАЗМЕРНЫХ РОСТОВЫХ ЯЧЕЕК

Показано, что переход на дискретные источники позволяет применять метод вакуумных микроразмерных ростовых ячеек для получения слоев вещества, находящегося при температуре испарения в жидком состоянии. Осуществлена оптимизация геометрических параметров плоской сетки локальных источников германия, обеспечивающей формирование однородных эпитаксиальных слоев соединения GexSi1-x.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: