Исследуется возможность построения активных избирательных усилителей (ИУ), реализуемых по SiGe микроэлектронным технологиям (SGB25VD и др.) для диапазонов частот 1 ÷ 50 ГГц. Рассмотрены особенности проектирования RC-фильтров на основе широкополосных усилителей тока. Проводится анализ качественных показателей базовых схем, позволяющий определять параметры основных элементов ИУ. Показано, что для КВЧ диапазона перспективно построение RLC-полосовых фильтров, реализуемых на базе интегральных индуктивностей, имеющих сравнительно низкие добротности. Обсуждаются результаты компьютерного моделирования ИУ на основе широкополосных усилителей тока.