НЕКОТОРЫЕ АСПЕКТЫ ФИЗИКИ И ТЕХНИКИ ГРАДИЕНТНОЙ ЭПИТАКСИИ: МОРФОЛОГИЯ ЖИДКОГО ВКЛЮЧЕНИЯ

Обсуждаются результаты моделирования динамики формы жидкого включения в матрице кристалла в поле градиента температуры. Показано влияние микропроцессов растворения и кристаллизации на морфологию двухфазной среды, из которой формируется полупроводниковый материал. Подтверждена адекватность полученной модели для всех режимов градиентной жидкофазной эпитаксии путем сравнения с теоретическими и экспериментальными исследованиями других ученых

Авторы

Тэги

градиентная жидкофазная эпитаксия; анизотропия кристалла; атомно-кинетический коэффициент. The results of modeling dynamics of liquid inclusion form in a crystal matrix in the field of temperature gradient are discussed in this work. Influence of dissolution and crystallization microprocesses on the biphase medium morphology out of which the semiconductor material is formed is shown. Adequacy of the received model for all the regimes of gradient liquid-phase epitaxy is confirmed by comparison with theoretical and practical researches of other scientists

Тематические рубрики

Прикладные науки. Медицина. Технология

Предметные рубрики

Технические науки. Промышленность

В этом же номере:

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ КРАТКОВРЕМЕННЫХ ИОНИЗАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ, ПОРОШКОВОЕ УПЛОТНЕНИЕ СОПРЯЖЕНИЯ ВЕДУЩИЙ ВАЛ – ЛАБИРИНТНАЯ ВТУЛКА ГИДРОМЕХАНИЧЕСКОЙ ПЕРЕДАЧИ, ...

Резюме по документу**

** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы:

Похожие документы из РУАЭСТ
|
Похожие документы из Руконт

НЕКОТОРЫЕ АСПЕКТЫ ФИЗИКИ И ТЕХНИКИ ГРАДИЕНТНОЙ ЭПИТАКСИИ: МОРФОЛОГИЯ ЖИДКОГО ВКЛЮЧЕНИЯ

Помощь:

Участники: