РУАЭСТ (RUAEST)
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ КРАТКОВРЕМЕННЫХ ИОНИЗАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ
Получены математические модели для электрофизических параметров полупроводника, определяющих ионизационные токи р-n переходов. В моделях учтено влияние температуры, концентрации носителей заряда и напряженности электрического поля. Проведенные расчеты показали, что наибольшее влияние температура и концентрация носителей заряда оказывают на время жизни и подвижность. Влияние электрического поля проявляется при напряженности, превышающей 102 – 103 В·см-1 Зависимость эффективности ионизации от температуры практически отсутствует.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
ВЕРОЯТНОСТНО-СТАТИСТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ЭКСПЛУАТАЦИОННОЙ НАДЕЖНОСТИ РАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНЫХ КАНАЛОВ ОРОСИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ,
ОПРЕДЕЛЕНИЕ СКОРОСТИ КОРРОЗИИ ТРУБНЫХ СТАЛЕЙ В СУСПЕНЗИЯХ ГРУНТОВ РАЗЛИЧНОГО СОСТАВА,
...
Резюме по документу**
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: