РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Технические науки/2011/№ 3/

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ КРАТКОВРЕМЕННЫХ ИОНИЗАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ

Получены математические модели для электрофизических параметров полупроводника, определяющих ионизационные токи р-n переходов. В моделях учтено влияние температуры, концентрации носителей заряда и напряженности электрического поля. Проведенные расчеты показали, что наибольшее влияние температура и концентрация носителей заряда оказывают на время жизни и подвижность. Влияние электрического поля проявляется при напряженности, превышающей 102 – 103 В·см-1 Зависимость эффективности ионизации от температуры практически отсутствует.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: