СТРУКТУРА ОБЪЕМНОГО ЗАРЯДА В GaAs ПТШ НА ГРАНИЦЕ МЕЖДУ АКТИВНЫМ СЛОЕМ И ПОДЛОЖКОЙ, ЛЕГИРОВАННОЙ ХРОМОМ

С помощью численного моделирования проанализирована структура объемного заряда на границе полуизолирующей подложки, допированной хромом, и канала в GaAs ПТШ. Использована четырехуровневая модель полуизолирующего GaAs с учетом глубоких уровней. Показана определяющая роль глубоких акцепторных уровней в формировании объемного заряда

• Бобрешов А.М.
• Нестеренко Ю.Н.
• Дыбой А.В.
• Разуваев Ю.Ю.

• Искусство. Декоративно-прикладное искусство. Фотография. Музыка. Игры. Спорт

• Естественные науки
• Физико-математические науки