РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика/2008/№ 2/

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ЗАРЯДОВОЙ ДЕГРАДАЦИИ КРЕМНИЕВЫХ МОП СТРУКТУР

Предложена модель накопления заряда в слое стеклообразной двуокиси кремния и на поверхностных состояниях границы раздела Si—SiO2 кремниевой МОП структуры под воздействием рентгеновского излучения, основанная на едином механизме генерации радиационных дефектов E’ (–Si–O3) и Pb (−Si≡Si3) в переходном нестехиометрическом слое с высоким уровнем внутренних упругих напряжений. На основе предложенной модели рассчитаны дозовые зависимости накопления фиксированного заряда в окисле и плотности поверхностных состояний для высоких и низких мощностей доз. Предложена методика прогноза радиационной деградации статических характеристик кремниевых МОП структур в радиационных полях низкой интенсивности (космическое излучение)

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: