В работе предложен гистерезисный преобразователь, относящийся к классу гистеронов Маделунга, описывающий детерминировано-стохастический процесс перезарядки системы глубокоуровневых центров в запрещенной зоне полупроводника, состоящей из донорного уровня и акцепторной ловушки, а также рассмотрены некоторые его свойства. Показано, что явление самонакопления заряда полупроводниковыми приборами определяется процессами обмена носителями заряда, как между глубокими уровнями, так и между глубокоуровневыми центрами и обеими разрешенными зонами