Проведено экспериментальное исследование обратимых эффектов воздействия сверхкоротких видеоимпульсов на арсенид-галлиевые транзисторы с затвором Шоттки. Особенное внимание уделяется влиянию разброса технологических параметров полуизолирующих подложек в рамках допусков современного производства на количественные характеристики обратимых эффектов