Установлены условия применимости метода фотостимулированной вспышки люминесценции для исследования локальных примесных состояний, расположенных в запрещенной зоне широкозонных кристаллов вблизи и ниже уровня центра люминесценции. Показано, что разность светосумм вспышки, высвеченных с уровней определенной глубины до и после фотоионизации центров с более глубоких уровней, пропорционально плотности энергетических состояний этих центров