Тонкие оксидные пленки синтезированы окислением арсенида галлия в присутствии РbО и Bi2O3. Методом рентгенофлуоресцентного анализа установлен элементный состав полученных образцов. На основе измерений электрических свойств установлен n-тип проводимости синтезированных материалов и исследовано влияние термических процессов на газочувствительные свойства тонких пленок, сформированных на GaAs под воздействием РbО и Bi2O3; получены температурные зависимости концентрации носителей заряда.