На основании расчета температурно-концентрационной зависимости свободной энергии Гиббса смешения установлено, что в системе InAs — InSb критическая температура области распада составляет ~773 К. Методами рентгенофазового анализа и локального рентгеноспектрального микроанализа подтверждено, что однородные твердые растворы в системе InAs — InSb существуют при 300 К только при содержании арсенида индия более 95 мол. % и менее 6 мол. %.