ВЛИЯНИЕ ПОДЛОЖКИ НА УСТОЙЧИВОСТЬ ТВЕРДОГО РАСТВОРА Ga1–xInxP

На основании расчета температурно-концентрационной зависимости свободной энергии Гиббса установлено, что в системе GaP — InP при 300 К область устойчивого существования твердого раствора не превышает 1—2 мол.% с обеих сторон, критическая температура составляет 860 К. Учет энергии упругих напряжений, возникающих при эпитаксиальном наращивании пленок на различных подложках, приводит к изменению координат бинодальной кривой. В упругонапряженном тонкопленочном состоянии могут быть получены устойчивые твердые растворы, состав которых попадает в область распада на равновесной фазовой диаграмме. Устойчивость твердого раствора в пленочном состоянии увеличивается по сравнению с объемными образцами за счет стабилизирующего влияния подложки, только если подложка изопериодна составам Ga1–хInхP 0,2<х<0,7 (например, это подложки GaAs, AlAs (сф.), Ge).

• Семенова Г.В.
• Сушкова Т.П.
• Кононова Е.Ю.

• Прикладные науки. Медицина. Технология

• Естественные науки
• Науки о человеке