Исследование диаграммы состояния системы CaSe-J[2]
Приведены результаты представленного исследования и построена диаграмма состояния системы.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
Б.А.Гейдаров
ИССЛЕДОВАНИЕ ДИАГРАММЫ СОСТОЯНИЯ СИСТЕМЫ GaSe–J2
(Бакинский государственный университет)
Приведены результаты исследования и построена диаграмма состояния системы
GaSe–J2. <...> Установили, что при концентрации 40,5 %мол. иода образуется двойная эвтектика
между Ga2Se3 и GaSe при температуре 905 ºС. <...> Благодаря интересным и разнообразным
полупроводниковым свойствам, GaSe исследовался
многими авторами [1–4], но в связи с трудностями
синтеза халькогенидов, халькоиодидов галлия
и увлажнением их на воздухе до сих пор не
изучены диаграммы состояния GaSe–J2. <...> Даже не
исследованы химические взаимодействия GaSe
при всех концентрациях иода. <...> С этой целью нами
исследована диаграмма состояния системы GaSe–
J2 в пределах до 60 % мол. иода. <...> Изучение велось
методом дифференциального термического и
рентгенофазового анализов, а так же исследованы
микроструктуры полученных сплавов. <...> Дифференциальный
термический анализ проводился на пирометре
Курнакова марки ПК-55. <...> Снимали термограммы
взаимодействия в системе GaSe–J2, определяли
температуру образования и разложения
продуктов некоторых реакции (рис. <...> Изучались
структуры сплавов системы.
указанным методом проводили рентгенофазный и
химический анализ (рис. <...> Штрихдиаграммы сплавов системы GaSe–J2. а – GaSe,
б – продукт взаимодействия
Fig. <...> Для выделения иодидов галлия из селенидов
галлия проводилась сублимация. <...> При сублимации
иодиды галлия собирались в холодную
часть ампулы, потом отделялись от селенидов
галлия. <...> The results of chemical analysis of GaSe–J2 system
В пределах
330–1050 ºС
GaSe+Ga2Se3+GaJ3
GaSe+Ga2Se3+GaJ3
GaSe+Ga2Se3+GaJ3
GaSe+Ga2Se3+GaJ3
Ga2Se3+GaJ3
Ga2Se3+GaJ3+J2
Путем сублимации
GaJ3
выделяется
от
основных
продуктов
Ga2Sе3
GaSе
Примечание
Температура, єС
цах системы заново появляется давление в связи с
сублимацией GaSeJ. <...> Выше 330 ºС происходит
разложение селеноиодидов галлия по реакции:
3GaSeJ Ga2Se3 + GaJ3
Выше 560 ºС в образцах системы GaSe–J2
Таким образом, нами установлено, что при
Рис. <...> Это объясняется тем,
что при температуре выше 560 ºС трииодид галлия <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: