Кристаллохимический механизм легирования кристаллов PbTe примесями Ga, In, TI

теллуриды свинца точечные дефекты легирование кристаллохимия легирование теллурида свинца

Рентгенографическое исследование твердофазного синтеза алюмосиликатов натрия со структурой цеолитов, Термические параметры сорбции паров воды ацетатом целлюлозы по данным обращенной газовой хроматографии, ...

УДК 621.315.592 Д. М. Фреик, Л. В. Туровская, В. В. Борык, Л. И. Межиловская КРИСТАЛЛОХИМИЧЕСКИЙ МЕХАНИЗМ ЛЕГИРОВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ PbTe ПРИМЕСЯМИ Ga, In, Tl (Прикарпатский национальный университет им. <...> Васыля Стефаныка) e-mail: freik@pu.if.ua, lturovska@gmail.com Предложены кристаллохимические модели дефектной подсистемы для легированных элементами третьей группы Периодической таблицы Д.И. Mенделеева (Ga, In, Tl) кристаллов n- и p-PbTe. <...> С учетом диспропорционирования зарядового состояния примеси, рассчитаны зависимости концентрации точечных дефектов и холловской концентрации носителей тока от состава основной матрицы и содержания легирующей примеси. <...> Ключевые слова: теллурид свинца, точечные дефекты, легирование, кристаллохимия ВВЕДЕНИЕ Теллурид свинца является базовым материалом для создания термоэлектрических преобразователей энергии средней области температур (500 – 850) К, а также источников и детекторов излучения в инфракрасном диапазоне оптического спектра. <...> Концентрация носителей тока в нестехиометрических и нелегированных кристаллах PbTe значительная и может достигать до 2·1018 см-3 [1]. <...> Легирование теллурида свинца открывает новые возможности модификации его электронных свойств, которые связаны с образованием глубоких уровней как в зоне разрешенных энергий, так и внутри запрещенной зоны. <...> Несмотря на значительное число работ [2– 6], до сих пор окончательно не выяснен кристаллохимический аспект легирования кристаллов теллурида свинца этими примесями. <...> В настоящей работе проанализировано влияние примесей на физико-химические свойства кристаллов PbTe и предложены кристаллоквазихимические формулы для различных механизмов легирования. <...> МЕХАНИЗМЫ ЛЕГИРОВАНИЯ Предложенный ранее [7] кристаллоквазихимический метод описания дефектной подсисте40 VV•• сии Pb и Te, „/” и „ ” – отрицательный и положительный заряды, соответственно. <...> Pb Te , где // V, Te – ваканPb V•• Нестехиометрический теллурид свинца. <...> h. x 1β β δ βδ ) // (1 )1Pb Te Vβγ β <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт