Кристаллохимический механизм легирования кристаллов PbTe примесями Ga, In, TI

теллуриды свинца точечные дефекты легирование кристаллохимия легирование теллурида свинца

Молекулярная структура и газочувствительные свойства этиопорфиринов меди (II) и цинка (II), Системно-стратегический анализ развития переработки газа и газохимии в ОАО "Газпром", ...

УДК 621.315.592 Д. М. Фреик, Л. В. Туровская, В. В. Борык, Л. И. Межиловская КРИСТАЛЛОХИМИЧЕСКИЙ МЕХАНИЗМ ЛЕГИРОВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ PbTe ПРИМЕСЯМИ Ga, In, Tl (Прикарпатский национальный университет им. <...> Васыля Стефаныка) e-mail: freik@pu.if.ua, lturovska@gmail.com Предложены кристаллохимические модели дефектной подсистемы для легированных элементами третьей группы Периодической таблицы Д.И. Mенделеева (Ga, In, Tl) кристаллов n- и p-PbTe. <...> С учетом диспропорционирования зарядового состояния примеси, рассчитаны зависимости концентрации точечных дефектов и холловской концентрации носителей тока от состава основной матрицы и содержания легирующей примеси. <...> Ключевые слова: теллурид свинца, точечные дефекты, легирование, кристаллохимия ВВЕДЕНИЕ Теллурид свинца является базовым материалом для создания термоэлектрических преобразователей энергии средней области температур (500 – 850) К, а также источников и детекторов излучения в инфракрасном диапазоне оптического спектра. <...> Концентрация носителей тока в нестехиометрических и нелегированных кристаллах PbTe значительная и может достигать до 2·1018 см-3 [1]. <...> Легирование теллурида свинца открывает новые возможности модификации его электронных свойств, которые связаны с образованием глубоких уровней как в зоне разрешенных энергий, так и внутри запрещенной зоны. <...> Несмотря на значительное число работ [2– 6], до сих пор окончательно не выяснен кристаллохимический аспект легирования кристаллов теллурида свинца этими примесями. <...> В настоящей работе проанализировано влияние примесей на физико-химические свойства кристаллов PbTe и предложены кристаллоквазихимические формулы для различных механизмов легирования. <...> МЕХАНИЗМЫ ЛЕГИРОВАНИЯ Предложенный ранее [7] кристаллоквазихимический метод описания дефектной подсисте40 VV•• сии Pb и Te, „/” и „ ” – отрицательный и положительный заряды, соответственно. <...> Pb Te , где // V, Te – ваканPb V•• Нестехиометрический теллурид свинца. <...> h. x 1β β δ βδ ) // (1 )1Pb Te Vβγ β <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт