Кинетика травления GaAs в хлорной плазме
Исследование проведено весовым и спектральным методами. Установлено наличие начального нестационарного участка травления, предположительно обусловленного особенностями удаления полированного слоя. Приведен анализ спектра излучения плазмы в присутствии продуктов травления. Показана возможность контроля кинетики по излучению резонансных линий Ga 403, 3 и 417, 3 им.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
А.В. Дунаев, С.А. Пивоваренок, А.М. Ефремов, В.И. Светцов
КИНЕТИКА ТРАВЛЕНИЯ GaAs В ХЛОРНОЙ ПЛАЗМЕ
(Ивановский государственный химико-технологический университет)
e-mail: efremov@isuct.ru
Проведено исследование кинетики травления GaAs в хлорной плазме весовым и
спектральным методами. <...> Установлено наличие начального нестационарного участка
травления, предположительно обусловленного особенностями удаления полированного
слоя. <...> Проведен анализ спектра излучения плазмы в присутствии продуктов травления. <...> Показана возможность контроля кинетики процесса по излучению резонансных линий
Ga 403.3 и 417.3 нм. <...> Ключевые слова: кинетика, травление, плазма хлора, арсенид галлия, спектр
ВВЕДЕНИЕ
Неравновесная низкотемпературная плазма
хлора и смесей на его основе применяется в
технологии микро- и наноэлектроники для очистки
и «сухого» травления поверхности полупроводниковых
пластин и функциональных слоев интегральных
микросхем. <...> Одним из важных процессов
здесь является формирование топологического
рельефа на поверхности GaAs, являющегося
одним из самых перспективных материалов электроники
будущего. <...> Причины этого заключаются в
сочетании большой ширины запрещенной зоны и
высокой подвижности носителей заряда, что позволяет
создавать на основе GaAs широкий спектр
высокочастотных быстродействующих приборов. <...> Однако подавляющее большинство
исследований имеют прикладной характер и
ограничиваются рассмотрениями зависимостей
скоростей травления от внешних параметров разряда. <...> Целью
данной работы являлось исследование
кинетики плазмохимического травления
GaAs в хлоре. <...> В качестве внешних параметров разряда выступали
ток разряда (20–60 мА), давление (40–100
Па) и расход (2–8 см3/сек при нормальных условиях)
плазмообразующего газа. <...> Хлор получали
термическим разложением хлорной меди в вакууме,
измерение давления и расхода газа проводили
U-образным масляным манометром и капиллярным
реометром. <...> Подвергаемые травлению образцы представляли <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: