РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Известия высших учебных заведений. Химия и химическая технология/2010/№ 5/

Кинетика травления GaAs в хлорной плазме

Исследование проведено весовым и спектральным методами. Установлено наличие начального нестационарного участка травления, предположительно обусловленного особенностями удаления полированного слоя. Приведен анализ спектра излучения плазмы в присутствии продуктов травления. Показана возможность контроля кинетики по излучению резонансных линий Ga 403, 3 и 417, 3 им.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
А.В. Дунаев, С.А. Пивоваренок, А.М. Ефремов, В.И. Светцов КИНЕТИКА ТРАВЛЕНИЯ GaAs В ХЛОРНОЙ ПЛАЗМЕ (Ивановский государственный химико-технологический университет) e-mail: efremov@isuct.ru Проведено исследование кинетики травления GaAs в хлорной плазме весовым и спектральным методами. <...> Установлено наличие начального нестационарного участка травления, предположительно обусловленного особенностями удаления полированного слоя. <...> Проведен анализ спектра излучения плазмы в присутствии продуктов травления. <...> Показана возможность контроля кинетики процесса по излучению резонансных линий Ga 403.3 и 417.3 нм. <...> Ключевые слова: кинетика, травление, плазма хлора, арсенид галлия, спектр ВВЕДЕНИЕ Неравновесная низкотемпературная плазма хлора и смесей на его основе применяется в технологии микро- и наноэлектроники для очистки и «сухого» травления поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев интегральных микросхем. <...> Одним из важных процессов здесь является формирование топологического рельефа на поверхности GaAs, являющегося одним из самых перспективных материалов электроники будущего. <...> Причины этого заключаются в сочетании большой ширины запрещенной зоны и высокой подвижности носителей заряда, что позволяет создавать на основе GaAs широкий спектр высокочастотных быстродействующих приборов. <...> Однако подавляющее большинство исследований имеют прикладной характер и ограничиваются рассмотрениями зависимостей скоростей травления от внешних параметров разряда. <...> Целью данной работы являлось исследование кинетики плазмохимического травления GaAs в хлоре. <...> В качестве внешних параметров разряда выступали ток разряда (20–60 мА), давление (40–100 Па) и расход (2–8 см3/сек при нормальных условиях) плазмообразующего газа. <...> Хлор получали термическим разложением хлорной меди в вакууме, измерение давления и расхода газа проводили U-образным масляным манометром и капиллярным реометром. <...> Подвергаемые травлению образцы представляли <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: