Электрохимическое поведение Mn{5} (Ge[1]-[X]Si{x}) [3] в сернокислом электролите
Работа посвящена поиску новых коррозионноустойчивых материалов.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
А.Б. Шеин
ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ПОВЕДЕНИЕ Mn5(Ge1-ХSiX)3 В СЕРНОКИСЛОМ ЭЛЕКТРОЛИТЕ
(Пермский государственный университет)
e-mail: ashein@psu.ru
В работе изложены результаты исследования коррозионно- электрохимического
поведения Mn5Si3, Mn5Ge3, а также соединений типа Mn5(Ge1-хSix)3 в сернокислом электролите. <...> Показано, что анодная стойкость германида марганца в сернокислом электролите
существенно ниже, чем силицида марганца, что связано с меньшей стойкостью
Ge в сравнении с Si, и лучшей растворимостью оксидов германия. <...> Соединения
Mn5(Ge1-xSix)3 характеризуются сложным электрохимическим поведением, при анализе
которого следует учитывать такие внутренние факторы процесса, как состав поверхностных
слоев и появление связи Ge-Si в соединениях. <...> Ключевые слова: силицид, германид, коррозия, выделение водорода, анодное растворение
Поиск и разработка новых коррозионностойких
материалов приводит к необходимости
исследования новых, ранее не изученных в коррозионном
аспекте сплавов и, в частности, интерметаллических
и металлоподобных соединений. <...> Ранее нами подробно исследовано электрохимическое
поведение силицидов и германидов
марганца в кислых электролитах [1-3], и показано,
что анодный процесс на этих электродах
протекает селективно и характеризуется преимущественной
ионизацией металлического компонента. <...> Кроме
того, выполнено сравнительное исследование
электрохимического поведения металлоподобных
соединений с одинаковой металлической
и различными неметаллическими компонентами
при их равном соотношении в соединениях,
а именно силицида Mn5Si3 и германида
Mn5Ge3 [3]. <...> Цель работы – исследовать коррозионно-электрохимическое
поведение, а также кинетику
парциальных электродных процессов на
Mn5(Ge1-хSix)3, где х = 0,05 – 0,9 в сернокислом
электролите. <...> Потенциостатические поляризационные
кривые (ПК) для Si, Ge, Mn5Si3, Mn5Ge3, а также
для Mn5(Ge1-xSix)3, полученные в 0,5М Н2SO4,
представлены на рис. <...> 1,а), что скорость
катодного процесса возрастает с увеличением
количества <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: