РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Известия высших учебных заведений. Химия и химическая технология/2011/№ 3/
В наличии за
40 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

Электрофизические параметры плазмы тлеющего разряда постоянного тока в смеси HCI/Ar

Приведен модельный анализ влияния начального состава смеси HCL/Ar на стационарные параметры плазмы (приведенная напряженность электрического поля, энергетическое распределение электронов, константы скоростей процессов под действием электронного удара) и концентрации заряженных частиц в условиях тлеющего разряда постоянного тока.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
водит к изменению электрокаталитической активности комплексов, что проявляется в смещении потенциала полуволны процесса ионизации дикислорода ( Е ) в область положительных значе1 2 О / 2 ний. <...> Изменение электрокаталитической активности соединений в исследованных группах происходит в следующей последовательности: для тетрафенилпроизводных: СoT(4-OHPh)P > СoT(4-ClPh)P > СoT(4-IPh)P > > СoT(4-NO2Ph)P. для октафенилпроизводных: (OPhТАP)Сo > (ОBrOPhТАP)Сo > (ОClOPhТАP)Сo. <...> Внутрициклические изменения за счет введения атомов азота в порфириновый цикл приводят к снижению электрокаталитической активности соединений при переходе от моно- к диазапроизводным. <...> А.М. Ефремов, А.В. Юдина, В.И. Светцов ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛАЗМЫ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА ПОСТОЯННОГО ТОКА В СМЕСИ HCl/Ar (Ивановский государственный химико-технологический университет) e-mail: efremov@isuct.ru Проведен модельный анализ влияния начального состава смеси HCl/Ar на стационарные параметры плазмы (приведенная напряженность электрического поля, энергетическое распределение электронов, константы скоростей процессов под действием электронного удара) и концентрации заряженных частиц в условиях тлеющего разряда постоянного тока. <...> Ключевые слова: плазма, моделирование, скорость, концентрация ВВЕДЕНИЕ Низкотемпературная газоразрядная плазма бинарных смесей хлорсодержащих газов (Cl2, BCl3, HCl) с аргоном нашла применение в технологии микро- и наноэлектроники при проведении процессов «сухого» травления и очистки поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев [1, 2]. <...> Использование Cl2 осложнено значительной коррозионной активностью и высокими степенями диссоциации [3], затрудняющими получение анизотропного профиля травления [1]. <...> В то же время, при разряде в HCl наблюдаются более низкие концентрации атомов хлора по сравнению с плазмой Cl2 [3, 4], что дает преимущество в анизотропии и селективности процесса при незначительной потере в скорости. <...> К сожалению, достоинства бинарных <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: