Методика проектирования малошумящих ГУН СВЧ на коаксиальных керамических резонаторах

генераторы ГУН коаксиальные резонаторы керамические резонаторы резонаторы ККР фазовые шумы модуляционные характеристики методики проектирования

Технологии plug&play в России, Широкодиапазонный КМОП-генератор для высокопроизводительных систем на кристалле, ...

«ЭЛЕКТРОСВЯЗЬ», 5, 2011 УДК 621.375.4 47 МЕТОДИКА ПРОЕКТИРОВАНИЯ МАЛОШУМЯЩИХ ГУН СВЧ НА КОАКСИАЛЬНЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ РЕЗОНАТОРАХ <...> Ключевые слова: генератор, управляемый по частоте напряжением, коаксиальный керамический резонатор, модуляционные характеристики, фазовые шумы. <...> При заданных выходной мощности и полосе перестройки одним из главных параметров ГУН является уровень фазовых шумов выходных колебаний. <...> Поскольку уровень фазовых шумов ГУН в значительной степени определяется добротностью рабочей моды его колебательной системы (КС) [1], то для снижения этих шумов в состав КС часто вводят высокодобротные коаксиальные керамические резонаторы (ККР) [2]. <...> Предположим, что поставлена задача проектирования ГУН, средняя частота которого лежит в интервале 3,4–3,5 ГГц, полоса электрической перестройки ‒ не менее 1% и уровень фазовых шумов при отстройке от несущей на 10 кГц ‒ не выше -95 дБн/Гц. <...> Заданы также: напряжение питания ‒ 3 В, максимальный потребляемый ток ‒ 4 мА и минимальная мощность ‒ 0,5 мВт, которая должна быть передана в нагрузку с сопротивлением 50 Ом. <...> Проектирование ГУН на ККР начинается с выбора базовой схемы и основных компонентов, определяющих облик и прогнозируемые свойства ГУН. <...> В рассматриваемом диапазоне частот в качестве базовой выберем схему емкостной трехточки (ЕТ), построенную на биполярном транзисторе (БТ) [6, 7]. <...> 1 показана упрощенная высокочастотная эквивалентная схема такого ГУН на БТ BFP740F [10]. <...> На первом этапе БТ в схеме заменяется внутренней моделью ГУН, параметры которой приведены в справочных данных [10]. <...> Другой штриховой линией обведена модель ККР (D1, L1) с варикапом и вспомогательными элементами, образующими перестраиваемый элемент трехточки Z3 . В схеме внешняя металлизированная поверхность ККР (требование конструкции) и коллектор БТ подключено к эмиттеру параллельно (по высокой частоте) заземлены. <...> Сопротивление нагрузки RL через емкость связи Cout емкости С1. <...> Поэтому на рабочих частотах <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт