СИСТЕМА В СИЛЬНОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ. АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОННОГО РАСПАРИВАНИЯ

В рамках метода полного конфигурационного взаимодействия изучено действие сильного электрического поля на сопряженные π-системы. Поведение систем в поле анализируется с помощью индекса распаривания — числа Neff эффективно распаренных электронов. Для Neff выведены формальные асимптотические правила, отвечающие предельно большим значениям внешнего поля. Подробно изучаются индуцированные полем бирадикалоидные π-состояния.

Авторы

Лузанов А.В.

Тэги

полное конфигурационное взаимодействие индекс распаривания бирадикалоидность ароматичность антиароматичность

Тематические рубрики

Прикладные науки. Медицина. Технология

Предметные рубрики

В этом же номере:

ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И ЭНЕРГЕТИКИ βb-ДИКЕТОНАТОВ. XVIII. МОЛЕКУЛЯРНОЕ СТРОЕНИЕ трис-АЦЕТИЛАЦЕТОНАТОВ ХРОМА И КОБАЛЬТА ПО ДАННЫМ КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКИХ РАСЧЕТОВ И МЕТОДА ГАЗОВОЙ ЭЛЕКТРОНОГРАФИИ, КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ТЕТРА(M-АЦЕТАТО)-БИС{[1-ЭТИЛ-3-(ПИРИДИН-2-ИЛ)КАРБАМИД]МЕДИ}, ...

Резюме по документу**

В рамках метода полного конфигурационного взаимодействия изучено действие сильного электрического поля на сопряженные π-системы. <...> Поведение систем в поле анализируется с помощью индекса распаривания — числа Neff эффективно распаренных электронов. <...> Для Neff выведены формальные асимптотические правила, отвечающие предельно большим значениям внешнего поля. <...>

** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы:

Похожие документы из РУАЭСТ
|
Похожие документы из Руконт

СИСТЕМА В СИЛЬНОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ. АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОННОГО РАСПАРИВАНИЯ

Помощь:

Участники: