СИСТЕМА В СИЛЬНОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ. АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОННОГО РАСПАРИВАНИЯ

В рамках метода полного конфигурационного взаимодействия изучено действие сильного электрического поля на сопряженные π-системы. Поведение систем в поле анализируется с помощью индекса распаривания — числа Neff эффективно распаренных электронов. Для Neff выведены формальные асимптотические правила, отвечающие предельно большим значениям внешнего поля. Подробно изучаются индуцированные полем бирадикалоидные π-состояния.

Авторы

Лузанов А.В.

Тэги

полное конфигурационное взаимодействие индекс распаривания бирадикалоидность ароматичность антиароматичность

Тематические рубрики

Прикладные науки. Медицина. Технология

Предметные рубрики

В этом же номере:

ИССЛЕДОВАНИЕ МОЛЕКУЛЯРНОЙ И КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ НОВОГО КООРДИНАЦИОННОГО ПОЛИМЕРА НИТРАТА МЕДИ(II) С 4,4,10,10-ТЕТРАМЕТИЛ-1,3,7,9-ТЕТРААЗОСПИРО[5.5]УНДЕКАН-2,8-ДИОНОМ, CRYSTAL STRUCTURE OF A NOVEL COMPLEX [Co(3,3?-bpbc)(H2O)3]?H2O, ...

Резюме по документу**

В рамках метода полного конфигурационного взаимодействия изучено действие сильного электрического поля на сопряженные π-системы. <...> Поведение систем в поле анализируется с помощью индекса распаривания — числа Neff эффективно распаренных электронов. <...> Для Neff выведены формальные асимптотические правила, отвечающие предельно большим значениям внешнего поля. <...>

** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы:

Похожие документы из РУАЭСТ
|
Похожие документы из Руконт

СИСТЕМА В СИЛЬНОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ. АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОННОГО РАСПАРИВАНИЯ

Помощь:

Участники: