Уроки наноэлектроники. 5. Перенос тепла фононами в концепции «снизу–вверх»

нанофизика наноэлектроника молекулярная электроника снизу– вверх термоэлектрические явления транспорт фононов теплопроводность.

Модульная система обучения как одна из форм организации учебного процесса в вузе, Кинематические секреты старинных игр. Городки, ...

Перенос тепла фононами в концепции «снизу–вверх» УДК 537.1 Уроки наноэлектроники. <...> Перенос тепла фононами в концепции «снизу–вверх» Юрий Алексеевич Кругляк Одесский государственный экологический университет, Одесса, Украина; email: quantumnet@yandex.ua В рамках концепции «снизу – вверх» современной наноэлектроники рассматриваются баллистический и диффузионный транспорт фононов и его роль в теплопроводности. <...> Введение В продолжение предыдущих сообщений [1, 2] в рамках концепции «снизу – вверх» наноэлектроники [3] рассмотрим перенос тепла фононами. <...> Фононная составляющая, как хорошо известно, наряду с электронной составляющей играет исключительно важную роль в формировании термических свойств веществ [4]. <...> (8) Обратим внимание на то, что как и модель упругого резистора для электронов не учитывает эффекты неупругого рассеяния мод проводимости, так и настоящая фононная модель не учитывает ангармоничность взаимодействия фононов, которая вынуждает фононы менять свою частоту [6]. <...> В отличие от достаточно хорошо изученных устройств на баллистическом транспорте электронов, и поныне немного известно об устройствах на баллистическом транспорте фононов [7–9]. <...> Баллистический транспорт фононов Баллистическая фононная проводимость записывается обычно в форме, напоминающей закон Стефана–Больцмана для фотонов. <...> Как и для случая электронов [1], число мод для фононов M = π λ где учтены три разрешенных направления поляризации фононов, а , λ ω/ 2π s ph = c так что <...> (15) Аналогичный результат для фотонов известен как закон Стефана–Больцмана, отличающийся от баллистического потока фононов (15) коэффициентом 2/3, поскольку в случае фотонов число разрешенных поляризаций равно двум. <...> Сравнение функций уширения в электронных и фононных транспортных коэффициентах (множитель 3/π2 нужен для того, чтобы площади под кривыми были одинаковы и равны единице как в электронной функции FT(x)). /h 38 мкСм есть обратное значение фундаментальной <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт