Свойства проводящего канала в тонких пленках субоксида кремния

МДП-структура нестехиометрический оксид кремния эффект Шоттки относительная диэлектрическая проницаемость

Оптимизация преобразований для скелетной анимации, Формализация процесса функционирования сложных дискретных устройств на базе макромоделей функциональных блоков, ...

УДК 538.915 Свойства проводящего канала в тонких пленках субоксида кремния П.С. Захаров, В.С. Зайончковский, Е.Б. Баскаков КФ МГТУ им. <...> Н.Э. Баумана, г. Калуга, 248600, Россия Проведен анализ вольт-амперных характеристик МДП-структур для различных температур. <...> Основное внимание уделено проводящему каналу в матрице нестехиометрического оксида кремния. <...> С помощью построения графиков в различных координатах установлено, что лимитирующим механизмом проводимости является эффект Шоттки. <...> Температурная зависимость тока для заданного напряжения позволила определить величину энергетического барьера 0,12 эВ. <...> Показано, что увеличение температуры образца на 200K приводит к значительному снижению эффективной диэлектрической проницаемости материала проводящего канала, что позволяет говорить о дипольной поляризации вещества. <...> Такое поведение может быть обусловлено высоким содержанием заряженных дефектов в матрице нестехиометрического оксида, которые представляют собой трехкоординированные атомы кремния, обладающие большей способностью к ориентации в электрическом поле, чем четырехкоординированные. <...> В работах [2, 3] показано, что эффект обратимого переключения проводимости в тонких (< 100 нм) пленках оксида кремния может лежать в основе альтернативного способа хранения информации. <...> Однако существующие представления о механизмах изменения сопротивления диэлектрических пленок довольно скудны: высказываются предположения об образовании проводящих каналов нанокристаллического кремния [4], фазового распада вследствие миграции кислородных вакансий <...> В настоящей работе предпринята попытка описать свойства проводящих каналов в тонких пленках нестехиометрического оксида кремния на основе анализа вольт-амперных характеристик (ВАХ), представленных в работе [6]. <...> Диэлектрическая пленка — нестехиометрический оксид кремния с 11% ат. избыточного кремния толщиной 37 нм — осаждалась совместным магнетронным распылением <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт