Модель образования термостабильных дефектных центров при облучении арсенида галлия нейтронами

арсенид галлия облучение тепловыми нейтронами быстрый термический отжиг

Автоматизация тестирования студенческих программ, Сравнительный анализ алгоритмов распознавания лиц в задаче визуальной идентификации, ...

УДК 621.382 Модель образования термостабильных дефектных центров при облучении арсенида галлия нейтронами В.Г. Косушкин, А.К. Горбунов КФ МГТУ им. <...> Н.Э. Баумана, г. Калуга, 248600, Россия Предложена модель трансформации дефектов в термостабильные дефектные центры, обладающие донорными свойствами в арсениде галлия, облученном нейтронами. <...> Природа этих центров определяется взаимодействием искусственных радиационных дефектов с примесями и равновесными дефектами кристалла. <...> Показано, что облучение нейтронами при температуре выше комнатной можно использовать не только для изучения природы и закономерностей дефектообразования, но и как способ направленного изменения свойств кристаллов. <...> Одним из способов повышения однородности и радиационной стойкости монокристаллов является использование ионизирующих излучений, создающих искусственные радиационные дефекты, которые отличаются высокой подвижностью и относительно легко удаляются из объема слитков термическим отжигом. <...> Искусственно введенные радиационные дефекты взаимодействуют с равновесными дефектами, возникшими в процессах выращивания монокристаллов, и эти комплексные дефекты также могут быть удалены термическим отжигом, что позволяет существенно сократить общее количество дефектов в материале. <...> Эффективной для этой цели оказалась технология облучения монокристаллов тепловыми нейтронами ядерного реактора, разработанная с целью реализации идеи трансмутационного легирования полупровод1 <...> В результате радиационного воздействия образуется большое количество радиационных дефектов в материале, которые формируются под воздействием быстрых нейтронов, атомов отдачи и -составляющей реакторного излучения. <...> Радиационно-физические процессы, включая механизм образования и отжига радиационных дефектов в материале, в процессе ядерного легирования описаны в [1–10]. <...> Известно, что любой материал неизбежно содержит некоторое количество «технологических <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт