Исследование границы металлизации микроэлектронных структур с помощью конфокальной микроскопии

конфокальная микроскопия упругие деформации кристаллографическая ориентация шероховатость

Энергетические и радиационные свойства электронного перехода, К вопросу о переносимости кода и некоторых возможностях использования кроссплатформенного программного обеспечения, ...

УДК 53.086 Исследование границы металлизации микроэлектронных структур с помощью конфокальной микроскопии П.С. Захаров, В.С. Зайончковский, Е.Б. Баскаков КФ МГТУ им. <...> Н.Э. Баумана, г. Калуга, 248600, Россия Новым методом исследования поверхности твердых тел является конфокальная микроскопия, которая позволяет резко увеличить точность измерений неровности поверхности в вертикальном направлении, при этом разрешение в горизонтальном направлении остается на уровне традиционных оптических микроскопов. <...> Такое соотношение в разрешении в двух взаимно перпендикулярных направлениях позволяет получать новую, достаточно уникальную информацию, которая недоступна даже при использовании сканирующей электронной микроскопии с высоким разрешением. <...> В статье представлены микрофотографии краев металлизации на подложках арсенида галлия и кремния. <...> Показано, что вблизи края метод конфокальной микроскопии позволяет выявить изменения рельефа, связанные с упругими деформациями и металлической пленки, и подложки. <...> Более того, используемый метод позволяет определить кристаллографическую ориентацию подложки. <...> С помощью конфокального микроскопа Nanofocus, в модификации «surf mobile» [1], были изучены три различных образца. <...> Данный микроскоп имеет разрешение в вертикальном направлении (z-направлении) 2 нм, при разрешении в x-, y-направлениях — 0,7 мкм, при использовании объектива с увеличением 50х и числовой апертуре 0,8. <...> Такая разница в разрешении в двух взаимно перпендикулярных направлениях позволяет получать новую и достаточно уникальную информацию о поверхности. <...> В качестве примеров можно привести снимки сечения границы раздела термически напыленного слоя металлического сплава Ag-Ge (5:1 по массе) на подложку арсенида галлия. <...> Изготовление образцов выполнено в установке вакуумного напыления УВН-2М при давлении остаточных газов 1 <...> Схема изготовления образцов с использованием арсенид-галлиевой подложки пыленного слоя, находящаяся <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт