РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Найти!
Известия Санкт-Петербургского государственного технологического института (технического университета)/2015/№ 2854/
В наличии за
40 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

РЕАКЦИИ ЗАМЕЩЕНИЯ В РАСТВОРАХ, СОДЕРЖАЩИХ БИМЕТАЛЛИЧЕСКИЕ КОМПЛЕКСЫ ПАЛЛАДИЯ(II), ПЛАТИНЫ(II) С СОЕДИНЕНИЯМИ ОЛОВА(II), ГЕРМАНИЯ(II)

Платиновые металлы в растворах галогенводородных кислот образуют комплексы с лигандами SnX3 -, GeX3 - (Х= F-, CI-, Br-). На характер связей M-Sn и M-Ge влияет природа ацидолигандов Х в SnX3 -, GeX3 -. По парамет- рам электронных(ЭСП) и γ-резонансных(119Sn) спектров установлено, что с ростом электроотрицательности Х перенос заряда с 5s2 и 4s2 орбиталей атомов Sn(II) и Ge(II) на металл увеличивается. Предположено, что в этом направлении увеличиваются σ-донорные свойства лигандов SnX3 -, GeX3 - и, соответственно, прочность биметаллических связей. При одинаковых условиях перенос заряда с атомов Ge(II) больше, чем с атомов Sn(II). Следовательно, M-Ge связи являются более прочными, чем M-Sn. Различие в электронных свойствах лигандов SnX3 -, GeX3 проявляется в реакциях замещения. С помощью ЭСП установлено, что ионы GeX3 - полностью замещают лиганды SnX3 - в M-Sn ком- плексах, а ионы SnX3 - не способны заместить лиганды GeX3 - в M-Ge соединениях. Ионы GeX3 - эффективно замещают тиомочевину, пиридин, аммиак, этилендиамин, дипиридил, фенантролини и другие лиганды в комплексах Pt(II), Pd(II). Ионы SnX3 - такой способностью не обладают. Эффективность ионов GeX3 - в роли входя- щих лигандов с ростом электроотрицательности Х повышается. Результаты, полученные при изучении реакций замещения, подтверждают сделанные ранее выводы о том, что связи M-Ge являются более прочными, чем M-Sn.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
Through the Sn), the , spectra were revealed that showed that with an increase of the electronegativity of the X, charge transfer from the 5s2 4s2 the orbitals of atoms and Sn (II) and Ge (II) to the met, GeX3and, accordingly, the strength of bimetallic bonds also increases. <...> Г. Антонов1 РЕАКЦИИ ЗАМЕЩЕНИЯ В РАСТВОРАХ, СОДЕРЖАЩИХ БИМЕТАЛЛИЧЕСКИЕ КОМПЛЕКСЫ ПАЛЛАДИЯ(II), ПЛАТИНЫ(II) С СОЕДИНЕНИЯМИ ОЛОВА(II), ГЕРМАНИЯ(II) Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет), Московский пр., 26 Санкт-Петербург, 190013, Россия e-mail: pgantonov@mail.ru Платиновые металлы в растворах галогенводородных кислот образуют комплексы с лигандами SnX3(Х= Fприрода ацидолигандов Х в SnX3, CI, Br, GeX3рам электронных(ЭСП) и γ-резонансных(119 и 4s2 прочность биметаллических связей. <...> При одинаковых условиях перенос заряда с атомов Ge(II) больше, чем с атомов Sn(II). <...> С помощью ЭСП установлено, что ионы GeX3, GeX3 tutes thiourea, pyridine, ammonia, ethylenediamine, bipyridyl, phenanthroline and other ligands in the complexes of Pt(II), Pd(II). <...> The efficiency of ion as incoming ligands with the increasing of the замещают тиомочевину, пиридин, аммиак, этилендиамин, дипиридил, фенантролини и другие лиганды в комплексах Pt(II), Pd(II). <...> Эффективность ионов GeX3не способны заместить лиганэффективно такой способностью не в роли входящих лигандов с ростом электроотрицательности Х повышается. <...> Результаты, полученные при изучении реакций замещения, подтверждают сделанные ранее выводы о том, что связи M-Ge являются более прочными, чем M-Sn. <...> Ключевые слова: комплексы Pt металлов с Sn(II), Ge(II); Sn; оптическая электроотрицательность ионов металэлектронные спектры, γ-резонансные спектры на ядрах 119 лов и лигандов . 1 Антонов Петр Георгиевич, д-р хим. паук, профессор , каф. неорганической химии, e-mail: pgantonov@mail.ru Antonov Peter G., Dr Sci (Chem.), Professor, department of inorganic chemistry e-mail: pgantonov@mail.ru Дата поступления <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы:

  • Похожие документы из РУАЭСТ
  • |
  • Похожие документы из Руконт

Помощь:

Участники:

© НЦР Руконт 2014