В решетке поплыли они
Замечательный пример нанокомпозитов - пористые полупроводники. При некоторых режимах химической обработки кристаллических полупроводников в них возникает множество пор, диаметри которых зависит от свойств исходного кристалла, состава травителя, плотности тока травления и иных факторов.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
В решете поплыли они Удивительные оптические свойства пористых полупроводников †‡М‰Л‰‡Ъ ЩЛБЛНУ-П‡ЪВП‡ЪЛВТНЛı М‡ЫН <...> 1 Изображения поверхности пористого фосфида галлия (ориентация поверхности (111)), полученное в атомносиловом микроскопе (а), и пористого кремния (ориентация поверхности (110)), полученное методом просвечивающей электронной микроскопии (б) (Письма в ЖЭТФ, 2003, т. <...> »ПВММУ
ЛПЛ У·ЫТОУ‚ОВМ‡ ОПЛМВТˆВМˆЛˇ ФУЛТЪУ„У НВПМЛˇ ФЛ НУПМ‡ЪМУИ
ЪВПФВ‡ЪЫВ. <...> 3 Спектры фотолюминесценции образцов пористого кремния с размерами наночастиц, уменьшающимися от (1) к (3) (J. <...> Цвет пленки обусловлен вращени ем поляризации световой волны в двулучепреломляющем слое 7 Схематическое изображение многослойной структуры. <...> Изменение во времени плотнос ти тока травления при изготовлении многослойной структуры на основе порис того кремния Ÿ» » Ÿ—“¿ ‰ОЛЪВОМУТЪ ФУˇ‰Н‡ 50 ЩТ (1 ЩВПЪУТВНЫМ‰‡ = 10с15 Т) ФУБ‚УОЛОУ ЛБЫ8
Спектр отражения многослойной структуры на основе анизотропного пористого кремния (а). <...> Рисунок б иллюстрирует возможное применение таких многослойных структур для разделения излучения по длине волны и поляризации. <...> Фотографии набора брэгговских зеркал, образованных двулучепреломляющими слоями пористого кремния, при различных поляризациях падающего излучения (в,г) †ЛТЪ‡ОО ЛБ М‡МУНЛТЪ‡ООУ‚
œВЛУ‰ЛВТНЛ ‚‡ЛЫˇ ЪУН ОВНЪУıЛПЛВТНУ„У Ъ‡‚ОВМЛˇ, ЛБ ФУЛТЪı ФУОЫФУ‚У‰МЛНУ‚ ПУКМУ ТУБ‰‡‚‡Ъ ТЪЫНЪЫ Т ВВ‰ЫЛПЛТˇ ТОУˇПЛ ‡БОЛ <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: