Плотные укладки

политипы политипные структуры простые политипы сложные политипы кристаллография

SiC, Руки пращуров, ...

Во-первых, это большая по сравнению с Si и GaAs ширина запрещенной зоны. <...> Иными словами увеличение области рабочих температур, теоретически до 10000 дить на основе SiC любые типы полупроводниковых приборов. <...> C и возможность создания светоизлучающих приборов для всего диапазона видимого света. <...> Во-вторых, на порядок большее значение поля пробоя в SiC по сравнению с кремнием означает, что при том же напряжении пробоя диод из SiC может иметь на два порядка сильнее легированную базу, чем диод на основе Si. <...> Это приводит к меньшим последовательным сопротивлениям и в итоге к большей удельной мощности карбидкремниевых приборов. <...> Это же служит причиной большой радиационной стойкости SiC. <...> В-третьих, теплопроводность, почти такая же высокая, как у меди, упрощает проблему теплоотвода, что в сочетании с высокими рабочими температурами и большими скоростями насыщения носителей (большие токи насыщения полевых транзисторов) очень важно для силовой электроники. <...> При превышении этой температуры колебания могут стать неупругими, что приводит к разрушению данного материала. для технологии и позволяет произвоПлотные укладки Политипные структуры можно представить так. <...> Возьмем какую-нибудь кристаллическую решетку и представим ее не в виде элементарных ячеек, плотно заполняющих пространство, где в каждой ячейке атомы располагаются одним и тем же образом, а в виде укладки плотноупакованных плоскостей. <...> Именно такие укладки и дают представление о политипах. <...> Вот что сказано о системах плотноупакованных плоскостей в учебнике «Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия». <...> Заштрихованы Плотноупакованный слой сфер и укладка двух слоев Возможностей построить трехмерное периодически повторяющееся пространство из плотноупакованных сеток бесконечное множество. <...> На рисунке видно, что точки В и С равновозможны как места укладки второго плотноупакованного слоя на первый, но расстояние между серединами треугольной <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт