РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Найти!
Вестник Московского университета. Серия 18. Социология и политология/2014/№ 4/
В наличии за
60 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

Влияние локальных фононных мод широкозонной матрицы на туннельные ВАХ квазинульмерных структур

Представлены результаты эксперимента по визуализации локальной плотности состояний в квантовых точках InAs/GaAs (001) методом туннельной атомно-силовой микроскопии в сверхвысоком вакууме. Предложена модель 1D-диссипативного туннелирования для интерпретации обнаруженных в эксперименте особенностей туннельных вольт-амперных характеристик контакта зонда атомно-силового микроскопа к поверхности квантовой точки. Найдено, что влияние двух локальных мод широкозонной матрицы на вероятность 1D-диссипативного туннелирования приводит к появлению нескольких неэквидистантных пиков в соответствующей полевой зависимости. Показано, что теоретическая зависимость качественно согласуется с экспериментальной вольт-амперной характеристикой контакта зонда атомно-силового микроскопа к поверхности квантовой точки InAs/GaAs (001).

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
Представлены результаты эксперимента по визуализации локальной плотности состояний в квантовых точках InAs/GaAs (001) методом туннельной атомно-силовой микроскопии в сверхвысоком вакууме. <...> Предложена модель 1D-диссипативного туннелирования для интерпретации обнаруженных в эксперименте особенностей туннельных вольт-амперных характеристик контакта зонда атомно-силового микроскопа к поверхности квантовой точки. <...> Найдено, что влияние двух локальных мод широкозонной матрицы на вероятность 1D-диссипативного туннелирования приводит к появлению нескольких неэквидистантных пиков в соответствующей полевой зависимости. <...> Показано, что теоретическая зависимость качественно согласуется с экспериментальной вольт-амперной характеристикой контакта зонда атомно-силового микроскопа к поверхности квантовой точки InAs/GaAs (001). <...> Представлены результаты эксперимента по визуализации локальной плотности состояний в квантовых точках InAs/GaAs (001) методом туннельной атомно-силовой микроскопии в сверхвысоком вакууме. <...> Предложена модель 1D-диссипативного туннелирования для интерпретации обнаруженных в эксперименте особенностей туннельных вольт-амперных характеристик контакта зонда атомно-силового микроскопа к поверхности квантовой точки. <...> Найдено, что влияние двух локальных мод широкозонной матрицы на вероятность 1D-диссипативного туннелирования приводит к появлению нескольких неэквидистантных пиков в соответствующей полевой зависимости. <...> Показано, что теоретическая зависимость качественно согласуется с экспериментальной вольт-амперной характеристикой контакта зонда атомно-силового микроскопа к поверхности квантовой точки InAs/GaAs (001). <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы:

  • Похожие документы из РУАЭСТ
  • |
  • Похожие документы из Руконт

Помощь:

Участники:

© НЦР Руконт 2014