Индукционные процессы в молекулярных нанокластерах в ИК-полях
Рассматривается донора¯кцепторный нанокластер в поле ИК-излучения (λ = 16–18 нм). Молекула донор в нанокластере содержит полярную подструктуру Сn H2n , являющуюся ИК-антенной для указанного излучения. Акцептором служит димер неполярных молекул пирина. Исследуются индуцированные дипольные моменты молекул пирина, которые возникают в поле дипольного момента ИК-антенны. Предполагается, что индуцированный дипольный момент каждой молекулы пирина в димере создает дополнительное электростатическое поле, действующее на сопутствующую молекулу пирина в димере. Получены аналитические формулы для расчета индуцированных моментов молекул пирина в димере и проведен анализ возникающих при этом динамических процессов. Показано, что присутствие молекул димера пирина в акцепторе нанокластера существенно увеличивает значение их индуцированных дипольных моментов. Это приводит к возрастанию вероятности индукционных процессов в нанокластерах в сравнении с аналогичными процессами в нанокластерах, акцепторы которых содержат одну молекулу пирина.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
Рассматривается доноракцепторный нанокластер в поле ИК-излучения (λ = 16–18 нм). <...> Молекула донор в нанокластере содержит полярную подструктуру Сn H2n , являющуюся ИК-антенной для указанного излучения. <...> Исследуются индуцированные дипольные моменты молекул пирина, которые возникают в поле дипольного момента ИК-антенны. <...> Предполагается, что индуцированный дипольный момент каждой молекулы пирина в димере создает дополнительное электростатическое поле, действующее на сопутствующую молекулу пирина в димере. <...> Получены аналитические формулы для расчета индуцированных моментов молекул пирина в димере и проведен анализ возникающих при этом динамических процессов. <...> Показано, что присутствие молекул димера пирина в акцепторе нанокластера существенно увеличивает значение их индуцированных дипольных моментов. <...> Это приводит к возрастанию вероятности индукционных процессов в нанокластерах в сравнении с аналогичными процессами в нанокластерах, акцепторы которых содержат одну молекулу пирина. <...> Рассматривается доноракцепторный нанокластер в поле ИК-излучения (λ = 16–18 нм). <...> Молекула донор в нанокластере содержит полярную подструктуру Сn H2n , являющуюся ИК-антенной для указанного излучения. <...> Исследуются индуцированные дипольные моменты молекул пирина, которые возникают в поле дипольного момента ИК-антенны. <...> Предполагается, что индуцированный дипольный момент каждой молекулы пирина в димере создает дополнительное электростатическое поле, действующее на сопутствующую молекулу пирина в димере. <...> Получены аналитические формулы для расчета индуцированных моментов молекул пирина в димере и проведен анализ возникающих при этом динамических процессов. <...> Показано, что присутствие молекул димера пирина в акцепторе нанокластера существенно увеличивает значение их индуцированных дипольных моментов. <...> Это приводит к возрастанию вероятности индукционных процессов в нанокластерах в сравнении с аналогичными процессами <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: