ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И ЭНЕРГИИ ФОРМИРОВАНИЯ В НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКИХ ДИХАЛЬКОГЕНИДАХ MX2 (М = Nb, Mo, W; X = Se, Te)

Методами теории функционала электронной плотности (DFT) получены результаты по электронной структуре, параметрам химической связи, энергиям формирования фаз и образования собственных дефектов по подрешеткам металлов и неметаллов для дихаль-когенидов MX2 (M = Nb, Mo, W; X = Se, Te). Для соединений с Te в ряду Nb—Mo—W с увеличением атомного номера происходит монотонное уменьшение зарядов на атомах металла и неметалла, но для соединений с Se данный порядок нарушается. Так же с увеличением порядкового номера металла для соединений с Se и Те уменьшается стабиль-ность фаз. Энергии образования вакансий по обеим подрешеткам для данных систем имеют немонотонный характер. Для систем MX2 (M = Mo,W; X = Se, Te) образование вакансий по подрешетке халькогена приводит к переходу диэлектрик—металл, а вакан-сии по металлической подрешетке уменьшают величину запрещенной щели.

• Еняшин А.Н.
• Банников В.В.
• Шеин И.Р.

• Прикладные науки. Медицина. Технология

• Физико-математические науки
• Естественные науки