РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Информационно-управляющие системы/2016/№ 2/
В наличии за
140 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

ТЕОРЕТИКО-ИНФОРМАЦИОННЫЙ АНАЛИЗ МНОГОУРОВНЕВОЙ FLASH-ПАМЯТИ Часть 1: Модель канала и границы случайного кодирования

Введение: flash-память представляет собой один из наиболее быстро растущих сегментов глобальной полупроводниковой индустрии. Благодаря неуклонно возрастающей плотности записи, высокой скорости записи/считывания, низкому энергопотреблению и продолжительному сроку службы, flash-память используется для хранения данных в весьма обширной сфере приложений. Повышение плотности записи, достигаемое за счет уменьшающегося физического размера ячейки наряду с возрастающим количеством используемых состояний, приводит к снижению надежности хранения данных, что требует использования помехоустойчивого кодирования. Цель: исследование теоретически достижимых значений основных параметров помехоустойчивого кодирования для модели многоуровневой NAND flashпамяти в зависимости от условий записи и хранения данных. Результаты: получены теоретически допустимые пределы скорости кодирования, для которых возможно построение надежных систем хранения данных для одной из возможных моделей flash-памяти, которая описывает страницу чипа памяти как систему с независимыми многоуровневыми ячейками. Для этой модели находятся границы случайного кодирования в форме, допускающей получение численных результатов. С использованием полученных границ устанавливаются обменные соотношения между предельно возможной скоростью кодирования и такими ключевыми параметрами, как число циклов перезаписи и время хранения данных. Рассмотрена возможность гауссовой аппроксимации канала записи/считывания. Эта аппроксим*ация оказывается в ряде случаев достаточно точной, что позволило получить точные оценки вычислительной скорости R0 в явном виде как функций от параметров гауссовых аппроксимаций. Показано, что во многих случаях величины пропускной способности и вычислительной скорости оказываются близкими — разница между ними составляет величину от долей процента до нескольких процентов. Практическая значимость: благодаря полученным результатам можно достаточно точно оценить степень снижения предельно достижимой плотности записи в многоуровневой NAND flash-памяти, связанную с ростом числа циклов перезаписи и увеличением длительности хранения данных. Это дает возможность, в частности, указать такие граничные значения числа циклов перезаписи и длительности хранения данных, при которых обеспечивается требуемая предельно достижимая плотность записи.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
КОДИРОВАНИЕ И ПЕРЕДАЧА ИНФОРМАЦИИ УДК 621.391 doi:10.15217/issn1684-8853.2016.2.56 ТЕОРЕТИКО-ИНФОРМАЦИОННЫЙ АНАЛИЗ МНОГОУРОВНЕВОЙ FLASH-ПАМЯТИ Часть 1: Модель канала и границы случайного кодирования <...> Ф. А. Таубина, доктор техн. наук, профессор аСанкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения, Санкт-Петербург, РФ функций от параметров гауссовых аппроксимаций. <...> Показано, что во многих случаях величины пропускной способности и вычислительной скорости оказываются близкими — разница между ними составляет величину от долей процента до нескольких процентов. <...> Практическая значимость: благодаря полученным результатам можно достаточно точно оценить степень снижения предельно достижимой плотности записи в многоуровневой NAND flash-памяти, связанную с ростом числа циклов перезаписи и увеличением длительности хранения данных. <...> 0 в явном виде как Ключевые слова — многоуровневая NAND flash-память, канал записи, теорема кодирования, пропускная способность, граница случайного кодирования. <...> Основным элементом хранения данных во flash-памяти является ячейка, представляющая собой транзистор с плавающим затвором. <...> Ячейка может находиться в одном из q ранжированных по уровню состояний: 0, 1, ..., q – 1, — определяемых величиной заряда плавающего затвора и представляющих фактически некоторые порого56 ИНФОРМАЦИОННОУПРАВЛЯЮЩИЕ СИСТЕМЫ вые уровни напряжения, которые могут быть измерены. <...> Перевод ячейки из нулевого состояния в заданное ненулевое состояние (или из некоторого ненулевого состояния в более высокое состояние) осуществляется вводом в плавающий затвор (туннелированием) соответствующего заряда; эта операция называется записью, или программированием (cell writing or programming). <...> Ячейка переводится в нулевое состояние путем удаления заряда из плавающего затвора; эта операция называется стиранием (cell erasing). <...> Повышение плотности записи, достигаемое за счет уменьшающегося физического размера ячейки наряду с возрастающим <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: