Эпитаксиальные структуры для лавинных фотодиодов на основе InGaAs/InP

эпитаксиальные гетероструктуры InGaAs/InP МОС-гидридная эпитаксия лавинный фотодиод.

Влияние давления инертного газа на генерацию УФ-излучения лампы трансформаторного типа с разрядной трубкой малого диаметра, Физические основы флуктуационного неразрушающего контроля твердых материалов и электронных приборов, ...

82 Прикладная физика, 2016, 1 Фотоэлектроника УДК 621.383 Эпитаксиальные структуры для лавинных фотодиодов на основе InGaAs/InP <...> П. Е. Хакуашев, И. В. Чинарева, И. В. Яроцкая В настоящей работе приведены экспериментальные исследования влияния режимов МОСгидридной эпитаксии на структурные и электрофизические свойства гетероструктур InGaAs/InP. <...> Выбранные режимы использовались для выращивания приборных структур, на которых изготовлены планарные лавинные фотодиоды. <...> По результатам измерения их фотоэлектрических характеристик был сделан вывод о возможности использования разработанных структур для изготовления планарных лавинных фотодиодов. <...> Введение Известно, что лавинные фотодиоды (ЛФД), изготовленные на основе эпитаксиальных гетероструктур (ГС) InGaAs/InP и обеспечивающие фоточувствительность в спектральном диапазоне 0,9—1,7 мкм, имеют улучшенные параметры в части темновых токов и быстродействия по сравнению с традиционными p–i–n-фотодиодами и позволяют регистрировать сверхслабые сигналы излучения [1, 2]. <...> Для достижения улучшенных характеристик приборов необходимо выполнение ряда требований при создании ГС, к которым, в первую очередь, относятся: прецизионный контроль состава и Будтолаев Андрей Константинович, вед. инженер-технолог. <...> E-mail: bereg@niipolyus.ru Статья поступила в редакцию 8 февраля 2016 г. Будтолаев А. К., Горлачук П. В., Ладугин М. А., Мармалюк А. А., Рябоштан Ю. Л., Хакуашев П. Е., Чинарева И. В., Яроцкая И. В., 2016 толщины эпитаксиальных слоев (ЭС) в процессе их формирования и обеспечение однородности состава твердого раствора по площади пластины. <...> Необходимым и важным требованием является также обеспечение высокой чистоты поглощающего активного слоя и низкого уровня фоновой концентрации носителей заряда в нем для снижения темновых токов и повышения чувствительности фотоприемного устройства. <...> С этой целью в качестве эпитаксиального метода получения может быть использован метод МОС-гидридной эпитаксии, который <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт