Структурные свойства подложек кадмий-цинк-теллур для выращивания твердых растворов кадмий-ртуть-теллур

КЦТ рентгеновская дифрактометрия КРТ МФПУ структурные дефекты кривая качания.

Диагностика релятивистского плазменного сгустка по тормозному излучению, Особенности радиального распределения параметров плазмы начального участка сверхзвуковой струи, формируемой импульсным капиллярным разрядом, ...

ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.383.4/5:621.315.59 Структурные свойства подложек кадмий-цинк-теллур для выращивания твердых растворов кадмий-ртуть-теллур <...> И. Д. Бурлаков, М. Б. Гришечкин, И. А. Денисов, Н. И. Шматов В работе представлены экспериментальные результаты исследования и анализа структурных свойств подложек кадмий-цинк-теллур (КЦТ), предназначенных для эпитаксии кадмийртуть-теллур (КРТ), методами рентгеновской дифрактометрии, селективного травления, инфракрасной микроскопии. <...> Показана взаимосвязь формы и полной ширины на полувысоте кривой качания со структурными дефектами, присутствующими в материале. <...> Уширение кривой качания вызвано повышенной плотностью дислокаций (>8 105), либо их ячеистым характером распределения. <...> Построены карты распределения значений полной ширины на полувысоте кривой качания для определения структурного совершенства по всей площади образцов, позволяющие проводить оценку пригодности пластин для дальнейшего технологического процесса. <...> E-mail: lab27@giredmet.ru Статья поступила в редакцию 30 марта 2016 г. Пряникова Е. В., Мирофянченко А. Е., Смирнова Н. А., Силина А. А., Бурлаков И. Д., Гришечкин М. Б., Денисов И. А., Шматов Н. И., 2016 Пряникова Екатерина Васильевна, инженер 2 кат. <...> Основными способами получения таких структур являются эпитаксиальные методы выращивания, которые предъявляют высокие требования к качеству используемого подложечного материала. <...> В данной работе представлены результаты исследования структурных характеристик подложек методами рентгеновской дифрактометрии, селективного травления и инфракрасной микроскопии в интересах формирования объективной оценки пригодности материала для выращивания структур КРТ. <...> Методом ИК-микроскопии проводились исследования преципитатов и включений второй фазы с помощью микроскопа Olympus BX51, работающего в проходящем свете в диапазоне длин волн от 0,75 до 1,2 мкм. <...> Селективное травление образцов проводили с помощью водного раствора CrO3 и HF [10] с дальнейшим <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт