РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Журнал структурной химии/2015/№ 3/
В наличии за
300 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

МЕХАНИЗМ СОПРЯЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПЕРЕХОДОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА

Сопряженное электронное возбуждение (СЭВ) за порогами остовных уровней атомов поверхности состоит из комбинации известных электронных переходов типа shake-off и shake-up, в результате которых возбужденные электроны могут размещаться как на уровне вакуума, так и на вакантных состояниях вблизи уровня Ферми. Сателлиты СЭВ в спектрах упругоотраженных электронов представляют собой прямую экспериментальную информацию о структуре валентных состояний атомов поверхности и компонентов адсорбированного слоя. Контроль СЭВ может быть организован как дополнительная возможность стандартного оборудования для электронной спектроскопии.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
Том 56, 3 УДК 53.043 МЕХАНИЗМ СОПРЯЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПЕРЕХОДОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА <...> Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия E-mail: cholach@catalysis.ru Статья поступила 13 января 2014 г. Сопряженное электронное возбуждение (СЭВ) за порогами остовных уровней атомов поверхности состоит из комбинации известных электронных переходов типа shake-off и shake-up, в результате которых возбужденные электроны могут размещаться как на уровне вакуума, так и на вакантных состояниях вблизи уровня Ферми. <...> Сателлиты СЭВ в спектрах упругоотраженных электронов представляют собой прямую экспериментальную информацию о структуре валентных состояний атомов поверхности и компонентов адсорбированного слоя. <...> Контроль СЭВ может быть организован как дополнительная возможность стандартного оборудования для электронной спектроскопии. <...> В результате каждого возбуждения взаимодействующие электроны, первичный и остовный, локализуются на вакантных состояниях вблизи уровня Ферми (EF). <...> Спектр СПИ регистрируется как зависимость производной тока упругоотраженных электронов dI(Ep)/dEp от энергии первичного пучка Ep. <...> При достижении Ep в ходе линейной развертки потенциала возбуждения остовного уровня наблюдается резкое уменьшение измеряемого тока за счет исчезновения части первичных электронов из тока упругоотраженных, поэтому положение пика в спектре определяется энергией остовного уровня, а форма пика dI(Ep)/dEp dW(E)/dE — самосверткой плотности вакантных состояний по уравнению: WE f E E ε σ ε E ( )=εσ 0 1 E ( , )( )( ) ,dε где f (E, ε) — матричный элемент перехода между начальным и конечным состояниями. <...> Важно отметить, что уравнение (1) не учитывает другие возможные каналы потерь упругоотраженных электронов, такие как возбуждение плазмонов, фононов, shake-up и shake-off процессы, которые могут сопровождаться появлением сателлитных пиков в спектрах потенциалов исчезновения [ 4 ]. <...> Исследование модельных адсорбционных систем на поверхности монокристалла Pt <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: