МЕХАНИЗМ СОПРЯЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПЕРЕХОДОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА

электронная спектроскопия пороговое возбуждение сопряженные электронные переходы платина.

STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF TETRAKIS(1,3-DIAZINANE-2-THIONE)CADMIUM(II) SULFATE, ИЗУЧЕНИЕ МЕТОДОМ РФЭС ПРОДУКТОВ, ОБРАЗУЮЩИХСЯ НА ПИРИТЕ И ПИРРОТИНЕ ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ С ХЛОРИДНЫМИ РАСТВОРАМИ ПАЛЛАДИЯ(II), ...

Том 56, 3 УДК 53.043 МЕХАНИЗМ СОПРЯЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПЕРЕХОДОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА <...> Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия E-mail: cholach@catalysis.ru Статья поступила 13 января 2014 г. Сопряженное электронное возбуждение (СЭВ) за порогами остовных уровней атомов поверхности состоит из комбинации известных электронных переходов типа shake-off и shake-up, в результате которых возбужденные электроны могут размещаться как на уровне вакуума, так и на вакантных состояниях вблизи уровня Ферми. <...> Сателлиты СЭВ в спектрах упругоотраженных электронов представляют собой прямую экспериментальную информацию о структуре валентных состояний атомов поверхности и компонентов адсорбированного слоя. <...> Контроль СЭВ может быть организован как дополнительная возможность стандартного оборудования для электронной спектроскопии. <...> В результате каждого возбуждения взаимодействующие электроны, первичный и остовный, локализуются на вакантных состояниях вблизи уровня Ферми (EF). <...> Спектр СПИ регистрируется как зависимость производной тока упругоотраженных электронов dI(Ep)/dEp от энергии первичного пучка Ep. <...> При достижении Ep в ходе линейной развертки потенциала возбуждения остовного уровня наблюдается резкое уменьшение измеряемого тока за счет исчезновения части первичных электронов из тока упругоотраженных, поэтому положение пика в спектре определяется энергией остовного уровня, а форма пика dI(Ep)/dEp dW(E)/dE — самосверткой плотности вакантных состояний по уравнению: WE f E E ε σ ε E ( )=εσ 0 1 E ( , )( )( ) ,dε где f (E, ε) — матричный элемент перехода между начальным и конечным состояниями. <...> Важно отметить, что уравнение (1) не учитывает другие возможные каналы потерь упругоотраженных электронов, такие как возбуждение плазмонов, фононов, shake-up и shake-off процессы, которые могут сопровождаться появлением сателлитных пиков в спектрах потенциалов исчезновения [ 4 ]. <...> Исследование модельных адсорбционных систем на поверхности монокристалла Pt <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт