ЗАРОЖДЕНИЕ ДВУМЕРНЫХ ОСТРОВКОВ Si ВБЛИЗИ МОНОАТОМНОЙ СТУПЕНИ НА АТОМНО-ЧИСТОЙ ПОВЕРХНОСТИ Si(111)-(7 × 7)∗

кремний эпитаксиальный рост двумерные островки атомные ступени критический зародыш поверхностная диффузия отражательная электронная микроскопия.

ВЕЙВЛЕТ-НЕЧЁТНЫЕ ВОЛНОВЫЕ ВЫТЯНУТЫЕ СФЕРОИДАЛЬНЫЕ ФУНКЦИИ В ЗАДАЧЕ СЕГМЕНТАЦИИ ДВУМЕРНОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ, ОСОБЕННОСТИ МОДЕЛИРОВАНИЯ ВИЗУАЛЬНО-ИНСТРУМЕНТАЛЬНЫХ НАБЛЮДЕНИЙ ЗЕМЛИ С БОРТА МКС, ...

52, 3 ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ УДК 539.211 + 538.975 ЗАРОЖДЕНИЕ ДВУМЕРНЫХ ОСТРОВКОВ Si ВБЛИЗИ МОНОАТОМНОЙ СТУПЕНИ НА АТОМНО-ЧИСТОЙ ПОВЕРХНОСТИ Si(111)-(77) Д. <...> Пирогова, 2 E-mail: rogilo@isp.nsc.ru Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии исследован процесс зарождения 2D-островков вблизи моноатомной ступени на начальной стадии нию W2 Rχ с показателем χ = 1,18 и χ = 0,63 при температурах 650 и 680 C соответственно. <...> Показано, что изменение χ связано со структурой ступени, обеспечивающей смену кинетики роста от лимитированной встраиванием адатомов в ступень к лимитированной их диффузией. <...> Конкуренция процессов зарождения и стока в ступень приводит к увеличению размера критического зародыша частицы от i = 1 вдали от ступени до i = 3–5 вблизи неё и i = 6–8 на террасе критической ширины для 2D-зарождения. роста Si на поверхности Si(111)-(7 Ч 7). <...> Зависимость ширины зоны обеднения W вблизи ступени, где островки не зарождаются, от скорости осаждения R подчиняется соотношеКлючевые слова: кремний, эпитаксиальный рост, двумерные островки, атомные ступени, критический зародыш, поверхностная диффузия, отражательная электронная микроскопия. <...> В работе [5] показано, что при росте Si на вицинальной поверхности Si(111)-(77) в узком температурном диапазоне 700–800 C наблюдается формирование эшелонов ступеней с тремя различными типами кинетики и формы ступеней. <...> Однако предложенный феноменологический подход к анализу рельефа ростовой поверхности не проясняет механизм возникновения морфологических неустойчивостей в силу того, что большинство параметров атомистических процессов встраивания адатомов неизвестны. <...> 87 беля (EES) для встраивания адатомов в восходящую и нисходящую ступени; движение одинарных и зарождение двойных кинков (изломов) на ступени — мест для встраивания адатомов; прозрачность ступеней, при которой адатомы пересекают ступень без встраивания. <...> Все эти сложности диктуют необходимость <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт