Сильные и надежные: промышленные IGBT-модули от International Rectifier

IGBT-модули

Проектирование встраиваемых микропроцессорных систем на базе расширяемых процессорных платформ семейства Zynq-7000 AP SoC в САПР Xilinx ISE Design Suite, ВЧ- и СВЧ-приборы компании Mini-Circuits., ...

силовая электроника 85 Сильные и надежные: промышленные IGBT-модули от International Rectifier Вячеслав ГАВРИКОВ Кирилл АВТУШЕНКО Компания International Rectifier анонсировала выпуск новой продукции — силовых IGBT-модулей. <...> Усилия IR, направленные на развитие технологии IGBT, привели к тому, что компания вышла на второе место в этом сегменте. <...> IR производит целый спектр электронных компонентов для силовой техники, основными группами из которых являются: • различные MOSFET, в том числе инновационные транзисторы DirectFET в корпусах с двухсторонним теплоотводом; В • силовые IGBT на напряжения от 330 до 1400 В с различными уровнями быстродействия (standart, fast, ultra-fast, warp, warp-2); • микросхемы драйверов IGBT и MOSFET; • транзисторы с функциями защиты и измерения тока (интеллектуальные ключи); • интеллектуальные силовые модули, интегрирующие силовые ключи и драйверы с цепями защиты; • понижающие синхронные DC/DC-преобразователи с интегрированными силовыми ключами; • твердотельные реле и т. д. <...> Например, только представители поколений Gen4 и Gen5 обладают рабочей частотой до 150 кГц (WARP IGBT), что позволяет эффективно использовать их как в низкочастотных системах приводов электродвигателей, так и в высокочастотных источниках бесперебойного питания. <...> • Gen6 — поколение Trench IGBT, предназначенное для работы на средних частотах (от 1 до 30 кГц) с напряжениями до 600 В. <...> Область применения этих IGBT — системы электропривода и преобразователи переменного напряжения. <...> Технологии производства IGBT компании International Rectifier • Gen7 — транзисторы, выполненные по технологии Field Stop Trench и обладающие отличными статическими и динамическими характеристиками. <...> • Новые Trench IGBT поколения Gen8 анонсированы совсем недавно. <...> Их целевое назначение — низкочастотные приложения с напряжениями до 1200 В, примером которых могут служить мощные инверторы электродвигателей. <...> Особо следует сказать о преимуществах IGBT поколения Gen8: если сравнивать их с устройствами остальных поколений и с лучшими образцами других <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт