РУАЭСТ (RUAEST)
Облако ключевых слов*
- "чоппер"
- "econopack econopack"
- "температура корпуса"
- "низкочастотные приложения"
- "одиночный igbt"
- "сравнивать igbt"
- "чоппер плеча"
- "напряжение насыщения"
- "епер"
- "мдж rth"
- "температура кристалла"
- "rectifier"
- "преимущество igbt"
- "powir"
- "с/вт"
- "корпус powir"
- "корпус ezirpack"
- "econopack"
- "входной выпрямитель"
- "ezirpack"
- "кристаллкорпус"
- "ultra-fast"
- "автушенко кирилл"
- "фазный"
- "нижнее плечо"
- "rth"
- "спектр топологий"
- "igbt"
- "модуль ir"
- "igbt поколения"
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:
Сильные и надежные: промышленные IGBT-модули от International Rectifier
Компания International Rectifier анонсировала выпуск новой продукции — силовых IGBT-модулей. На первом этапе в производство запущены модули на базе IGBT-кристаллов поколений Gen5 и Gen7. Затем предполагается начать изготовление модулей, содержащих IGBT-кристаллы нового поколения Gen8, обладающих низкими значениями напряжения насыщения и способных коммутировать большие токи. Цель данной статьи — познакомить читателей с номенклатурой IGBT-модулей IR.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Методология проектирования для ПЛИС Xilinx: организационные аспекты,
Новейшие 8-битовые осциллографы Teledyne LeCroy с сенсорным дисплеем и умеренной стоимостью,
...
Резюме по документу**
силовая электроника
85
Сильные и надежные:
промышленные IGBT-модули
от International Rectifier
Вячеслав ГАВРИКОВ
Кирилл АВТУШЕНКО
Компания International Rectifier анонсировала выпуск новой продукции —
силовых IGBT-модулей. <...> Усилия IR, направленные на развитие
технологии IGBT, привели к тому, что компания вышла на второе
место в этом сегменте. <...> IR производит целый спектр электронных компонентов для силовой
техники, основными группами из которых являются:
• различные MOSFET, в том числе инновационные транзисторы
DirectFET в корпусах с двухсторонним теплоотводом;
В
• силовые IGBT на напряжения от 330 до 1400 В с различными уровнями
быстродействия (standart, fast, ultra-fast, warp, warp-2);
• микросхемы драйверов IGBT и MOSFET;
• транзисторы с функциями защиты и измерения тока (интеллектуальные
ключи);
• интеллектуальные силовые модули, интегрирующие силовые ключи
и драйверы с цепями защиты;
• понижающие синхронные DC/DC-преобразователи с интегрированными
силовыми ключами;
• твердотельные реле и т. д. <...> Например, только представители поколений
Gen4 и Gen5 обладают рабочей частотой до 150 кГц (WARP IGBT),
что позволяет эффективно использовать их как в низкочастотных
системах приводов электродвигателей, так и в высокочастотных
источниках бесперебойного питания. <...> • Gen6 — поколение Trench IGBT, предназначенное для работы
на средних частотах (от 1 до 30 кГц) с напряжениями до 600 В. <...> Область применения этих IGBT — системы электропривода и преобразователи
переменного напряжения. <...> Технологии производства IGBT компании International Rectifier
• Gen7 — транзисторы, выполненные по технологии Field Stop
Trench и обладающие отличными статическими и динамическими
характеристиками. <...> • Новые Trench IGBT поколения Gen8 анонсированы совсем недавно. <...> Их целевое назначение — низкочастотные приложения с напряжениями до 1200 В, примером которых могут служить мощные инверторы электродвигателей. <...> Особо следует сказать о преимуществах IGBT поколения Gen8: если сравнивать их с устройствами остальных поколений и с лучшими образцами других <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: