Расчет количественных показателей надежности цифровых БИС с использованием справочника MIL-HDBK-217F и программы MTBF Calculator фирмы ALD

показатели надежности цифровые БИС

Применение AMC-модуля TORNADO-A6678 в системах ЦОС стандарта MicroTCA, Методология проектирования для ПЛИС Xilinx: организационные аспекты, ...

104 проектирование схемотехника Расчет количественных показателей надежности цифровых БИС с использованием справочника MIL-HDBK-217F и программы MTBF Calculator фирмы ALD Андрей СТРОГОНОВ, д. т. н. <...> tsybin@edc-electronics.ru Павел ГОРОДКОВ gorodkoff@gmail.com Цель данной статьи — получение навыков расчета количественных показателей надежности цифровых ИС с использованием справочника MIL-HDBK-217 и калькулятора MTBF Calculator фирмы ALD (Израиль). <...> Теоретические сведения Интенсивность отказов λi(t) — это количество отказавших изделий в единицу времени, отнесенное к числу изделий, непрерывно работающих к началу рассматриваемого промежутка времени, то есть: чает среднее время наработки между отказами и интенсивность отказов. <...> В общем случае интенсивность отказов могде ni — число изделий, отказавших за промежуток времени ti; ni — число изделий, отказавших к началу промежутка времени ti; N — общее число изделий. <...> Для измерения интенсивности отказов зарубежные изготовители обычно подсчитывают относительное число приборов, которые могут отказать в течение каждых 105 Более предпочтительной единицей измерения является количество отказов на 109 ч работы (то есть процент на 1000 ч). ч (так называемый ФИТ), поскольку она позволяет более удобно и наглядно отразить сверхмалые интенсивности отказов БИС. <...> Интенсивность отказов биполярных и МОП цифровых ИС малого и среднего уровня интеграции, вентильных/логических матриц (LA), программируемых логических матриц (ПЛМ, PLA), программируемой матричной логики (ПМЛ, PAL), микропроцессоров оценивается следующей моделью: λ = πQ[C1πT + C2πE]πL10–6 и MTBF = λ–1 , 1/ч <...> Для цифровых ИС число вентилей определяется их подсчетом исходя из функциональной схемы, представленной на уровне вентилей, а при отсутствии — посредством деления (табл. <...> 4) числа транзисторов на три или четыре, в соответствии с технологией их изготовления. <...> Интенсивность отказов постоянных запоминающих устройств (ПЗУ), перепрограммируемых пользователем ПЗУ (ППЗУ <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт