IGBT или MOSFET: выбирайте с умом

силовая электроника

Эволюция МЭМС-продуктов компании Analog Devices и современные инерциальные измерительные модули iSensor, Современные литий-ионные аккумуляторы., ...

76 силовая электроника IGBT или MOSFET: выбирайте с умом Карл БЛЭЙК (Carl BLAKE) Крис БУЛЛ (Chris BULL) С развитием полупроводниковых технологий выбор между применением MOSFET или IGBT в конкретном устройстве становится все более трудным для современного разработчика. <...> В предлагаемой статье приведено несколько основных правил, которые помогут принять решение о выборе типа транзистора. <...> Эволюция технологий: биполярные транзисторы, MOSFET и IGBT Биполярный транзистор (БТ) был единственным «реальным» силовым ключом до тех пор, пока в 1970-х годах не появилась технология MOSFET. <...> Для включения биполярного транзистора требуется высокий базовый ток, БТ имеет относительно медленные характеристики выключения (этот эффект известен как токовый «хвост», ему свойственен тепловой пробой вследствие отрицательного температурного коэффициента). <...> В отличие от БТ, полевой транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, управляемый напряжением, а не током. <...> Ключи MOSFET имеют положительный температурный коэффициент, что позволяет предотвратить тепловой пробой. <...> Затем, в 1980-х, появились IGBT — биполярные ключи с изолированным затвором, представляющие собой гибрид биполярного транзистора и MOSFET (рис. <...> Выходная характеристика и параметры проводимости IGBT примерно такие же, как у биполярного транзистора, но в отличие от БТ он управляется напряжением, как MOSFET. <...> Другими словами, это означает, что IGBT сочетает высокие нагрузочные характеристики биполярной структуры с простотой управления MOSFET. <...> Однако IGBT имеет и свои недостатки, к которым можно отнести сравнительно большой токовый «хвост» и отсутствие встроенного обратного диода. <...> Проблемой ранних версий IGBT была склонность к защелкиванию, но у новых поколений транзисторов такой эффект практически устранен. <...> Другим потенциальным недостатком некоторых типов ключей является отрицательный температурный коэффициент, приводящий к тепловому пробою и усложняющий параллельное соединение. <...> MOSFET и IGBT <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт