Проблемы обеспечения низкого уровня паров воды в корпусах интегральных схем

интегральные схемы

Перспективные микроконтроллеры AVR компании Atmel, Разработка КИХ-фильтров в системе Xilinx System Generator САПР ISE Design Suite, ...

150 технологии компоненты Проблемы обеспечения низкого уровня паров воды в корпусах интегральных схем Виталий СОЛОДУХА Владимир ЛАНИН Анатолий КЕРЕНЦЕВ akerentsev@transistor.com.by Высокая надежность интегральных схем специального назначения достигается на стадии производства в результате минимизации содержания паров воды в герметичном корпусе, при условии постоянного мониторинга параметров инертной среды герметизации. <...> Оптимизация технологии герметизации корпусов и использование импульсной шовно-роликовой сварки позволяют обеспечить высокий процент выхода годных и устойчивость к внешним дестабилизирующим факторам в экстремальных условиях эксплуатации. <...> Введение Функциональные характеристики интегральных схем, а также микроэлектронных, оптоэлектронных, микро- и наноустройств зависят от степени защиты, обеспечиваемой герметичным корпусом. <...> Исследователями в области военных и аэрокосмических программ установлено, что главной проблемой надежности является коррозия слоя металлизации активного устройства и поверхностные утечки тока, вызываемые влагой, выделяемой из материалов, или утечкой в корпус. <...> Контроль содержания паров воды внутри корпуса ИС не проводился, если герметизация происходила в контролируемой осушенной среде, обеспечивающей вышеуказанные требования, непосредственно после выполнения операции термообработки при условии исключения соприкосновения схемы с рабочим объемом помещения [3]. <...> В военном стандарте США MIL-STD-883 норма по содержанию паров воды в корпусе при 100 C установлена равной 5000 ррm (эквивалентно 0,5 об. %) для монолитных ИС с внутренним объемом и 6000 ррm (эквивалентно 0,6 об. %) для гибридных ИС [5]. <...> КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • 5 '2015 компоненты технологии 151 Факторы, вызывающие повышение паров воды в корпусе Основными источниками повышенного содержания паров воды в подкорпусном объеме, образующей пленку на поверхности кристалла, являются: высокая концентрация паров <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт