Уточненная модель низкоомных пленочных резисторов с гребенчатой структурой
Методами конечных элементов и конформных отображений построены аналитические модели низкоомных и ультранизкоомных пленочных резисторов основных типов гребенчатых (встречно-штыревых) структур при произвольных отношениях удельных поверхностных сопротивлений резистивной и проводящей пленок. В результирующем сопротивлении учтены сопротивления электродов гребенчатой структуры и объединяющих электродов, а также дополнительное сопротивление, связанное с переходом тока из проводящей пленки в резистивную и наоборот. Выявлены условия, при которых граница раздела пленок может считаться эквипотенциальной. Построена схема замещения низкоомных гребенчатых резисторов, используемых в качестве датчиков тока в схемах стабилизации, контроля, тепловой и токовой защиты.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
УДК 621.3.049.776
Уточненная модель низкоомных пленочных резисторов
с гребенчатой структурой <...> Р.Е. Алексеева
Методами конечных элементов и конформных отображений построены
аналитические модели низкоомных и ультранизкоомных пленочных
резисторов основных типов гребенчатых (встречно-штыревых) структур
при произвольных отношениях удельных поверхностных сопротивлений
резистивной и проводящей пленок. <...> В результирующем сопротивлении учтены
сопротивления электродов гребенчатой структуры и объединяющих
электродов, а также дополнительное сопротивление, связанное с переходом
тока из проводящей пленки в резистивную и наоборот. <...> Выявлены
условия, при которых граница раздела пленок может считаться эквипотенциальной. <...> Ключевые слова: сопротивление низкоомного пленочного резистора с гребенчатой
структурой; контактное сопротивление; схема замещения пленочного
резистора. <...> Низкоомные и ультранизкоомные пленочные резисторы с высокой
температурной и временной стабильностью, низким уровнем шумов, высокими частотно-мощностными
характеристиками и малой погрешностью воспроизведения
номиналов широко используются в качестве датчиков тока в схемах стабилизации,
контроля, тепловой и токовой защиты [13]. <...> Разработка таких резисторов требует не
только перехода к более сложным топологиям, но и тщательного учета их контактных
сопротивлений, включающих сопротивление собственно электродов контактов
и дополнительное сопротивление области перехода тока из проводящей пленки в резистивную
и наоборот [4, 5]. <...> В настоящей работе с использованием методов конечных элементов и конформных
отображений построены аналитические модели низкоомного и ультранизкоомного пленочного
резистора с гребенчатой структурой с учетом объединяющих электродов и дополнительного
сопротивления, связанного с переходом тока из проводящей пленки в
резистивную и наоборот. <...> Структура пленочных гребенчатых резисторов в ГИС:
а – низкоомный <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: