Применение табличных моделей туннельных эффектов для ускорения SPICE-моделирования нанометровых МОП-транзисторов

SPICE-моделирование; BSIM3; эффекты туннелирования.

Методы учета случайности формы включений при вычислении эффективных диэлектрических характеристик гетерогенных текстурированных материалов, Формирование наноразмерных элементов затворов СВЧ-транзисторов методом ионно-лучевой литографии, ...

СХЕМОТЕХНИКА И ПРОЕКТИРОВАНИЕ CIRCUIT ENGINEERING AND DESIGN УДК 621.3 Применение табличных моделей туннельных эффектов для ускорения SPICE-моделирования нанометровых МОП-транзисторов В.А. <...> Lapin2 1SC “Angstrem-T”, Moscow 2National Research University of Electronic Technology Приведены результаты реализации методики ускорения SPICEмоделирования применительно к учету туннельных эффектов в нанометровых МОП-транзисторах. <...> Показано, что замена сложных моделей этих эффектов табличными представлениями существенно ускоряет моделирование схем, содержащих указанные транзисторы. <...> Поэтому указанные эффекты подлежат полному учету в транзисторных моделях. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 6 2015 Применение табличных моделей туннельных эффектов... <...> Уточнение транзисторной модели эффектами туннелирования токов через подзатворный окисел и затворного индуцирования токов в областях стока, истока приводит к многократному замедлению SPICE-счета схем либо к его прерыванию. <...> Степень замедления SPICE-счета определяется многими факторами и поэтому колеблется от 3 до 100 раз и более, так как зависит от характера функций для описания утечек генераторами тока, способов отсечения в этих функциях лишних ветвей и приемов блокировки сингулярностей. <...> Степень замедления зависит и от класса моделируемых схем, а также от того, какой из модельных уровней, нижний или верхний, дополняется новыми эффектами. <...> Верхний уровень соответствует подсхемам и потому доступен пользователям симулятора. <...> Таким образом, выявление и устранение причин замедления SPICE-процесса моделями уровня подсхем приобретает повышенную практическую значимость, а решение этой задачи применительно к туннельным эффектам в нанометровых МОП-транзисторах – характер первоочередной необходимости. <...> Построение и исследование транзисторной модели подсхемного уровня. <...> Наиболее применяемая встроенная модель МОП-транзистора, «свободная» от эффектов туннелирования и затворного индуцирования, – BSIM3v3. <...> Рассмотрим подробнее эффекты туннелирования <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт