ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКИХ СЛОИСТЫХ ФАЗ LaZnAsO1-δ СО СТРУКТУРОЙ ZrCuSiAs: FLAPW-GGA МОДЕЛИРОВАНИЕ
            Представлено краткое обсуждение особенностей электронного строения слоистых фаз LaZnAsO1-δ со структурой типа ZrCuSiAs при δ=0,11 и 0,44 по результатам ab initio расчетов. Показано, что влияние кислородных вакансий на электронное строение нестехиометрических фаз эквивалентно влиянию электронного допанта, а зарядовая компенсация происходит внутри структурных блоков [La—О] за счет изменения заселенности состояний атомов лантана.
            Авторы
            
            Тэги
            
            Тематические рубрики
            
            Предметные рубрики
           
            В этом же номере:
            
            Резюме по документу**
            
                Представлено краткое обсуждение особенностей электронного строения слоистых фаз LaZnAsO1-δ со структурой типа ZrCuSiAs при δ=0,11 и 0,44 по результатам ab initio расчетов. <...> Показано, что влияние кислородных вакансий на электронное строение нестехиометрических фаз эквивалентно влиянию электронного допанта, а зарядовая компенсация происходит внутри структурных блоков [La—О] за счет изменения заселенности состояний атомов лантана. <...> Представлено краткое обсуждение особенностей электронного строения слоистых фаз LaZnAsO1-δ со структурой типа ZrCuSiAs при δ=0,11 и 0,44 по результатам ab initio расчетов. <...> Показано, что влияние кислородных вакансий на электронное строение нестехиометрических фаз эквивалентно влиянию электронного допанта, а зарядовая компенсация происходит внутри структурных блоков [La—О] за счет изменения заселенности состояний атомов лантана. <...> 
            
            ** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
            Похожие документы: