МОЛЕКУЛЯРНО-ДИНАМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ ДЕФЕКТОВ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ ГРАФИТА МЕТОДОМ ФУНКЦИОНАЛА ЭЛЕКТРОННОЙ ПЛОТНОСТИ В ПРИБЛИЖЕНИИ СИЛЬНОЙ СВЯЗИ
С использованием квантово-химического метода функционала электронной плотности в приближении сильной связи проведено молекулярно-динамическое моделирование образования точечных дефектов в графене и ультратонких пленках графита. Дана оценка пороговых значений энергии образования вакансий в слоях графита, визуализированы два механизма дефектообразования.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
SUBSTITUENT GROUP EFFECTS ON THE SELF-ASSEMBLY OF OXOVANADIUM(V) COMPLEXES WITH HYDRAZONE LIGANDS BEARING BENZOIC ACID (1-METHYL-3-OXOBUTYLIDENE)HYDRAZIDE BACKBONES,
КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА НОВОГО БИЯДЕРНОГО КОМПЛЕКСА бис(2,4,6,8-ТЕТРАМЕТИЛ-2,4,6,8-ТЕТРААЗАБИЦИКЛО(3.3.0)ОКТАН-3,7-ДИОН-О,О')-ТЕТРААКВА-гексакис(НИТРАТО-О,О')-ДИЕВРОПИЯ(III),
...
Резюме по документу**
С использованием квантово-химического метода функционала электронной плотности в приближении сильной связи проведено молекулярно-динамическое моделирование образования точечных дефектов в графене и ультратонких пленках графита. <...> Дана оценка пороговых значений энергии образования вакансий в слоях графита, визуализированы два механизма дефектообразования. <...> С использованием квантово-химического метода функционала электронной плотности в приближении сильной связи проведено молекулярно-динамическое моделирование образования точечных дефектов в графене и ультратонких пленках графита. <...> Дана оценка пороговых значений энергии образования вакансий в слоях графита, визуализированы два механизма дефектообразования. <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: