Преимущества использования нитрид-галлиевых транзисторов в силовой электронике

Имеющиеся на сегодня источники питания (ИП), выполненные по технологии с использованием высокопроизводительных кремниевых полевых транзисторов и диодов Шоттки на основе карбида кремния, уже не являются достаточно эффективными, по крайней мере, в течение двух последних лет. Не так давно несколько производителей объявили о доступности транзисторов на основе нитрида галлия на кремнии, которые рассчитаны на рабочее напряжение 600–650 В. Как эти новые устройства могут повлиять на ИП, смогут ли они обеспечить еще более высокие уровни эффективности и плотность мощности?

• Рентюк Владимир
• Перссон

• Технические науки. Промышленность